《科创板日报》10 月 17 日讯（记者 曾乐 陈俊清） 2026 湾区半导体产业生态博览会（下称：2026 湾芯展）期间，深圳方正微电子有限公司（下称：方正微电子）发布 SiC DIP32 功率模块，首发 1200V 35m Ω 及 1200V 60m Ω 两大产品，可匹配车载 OBC、智能悬架电控、DC-DC 转换器及车载空调等多元功率需求。

作为国内碳化硅 IDM 模式代表性企业，方正微电子本次新品落地，既是对自身车规级产品矩阵的关键补全，也是行业中压碳化硅迈入 " 硅平价 " 阶段、加速向终端市场渗透的缩影。

2026 湾芯展期间，方正微电子技术副总裁刘韧接受了《科创板日报》记者专访，围绕公司 IDM 战略、产能布局、车规与 AIDC 双赛道进展、行业成本拐点及技术路线演进等核心议题展开深度交流。

图：方正微电子技术副总裁刘韧

在刘韧看来，碳化硅产业正站在规模化渗透的关键节点：电动汽车的渗透从主驱向车载全场景延伸，AI 算力爆发驱动数据中心电源架构迭代，两大核心需求叠加工艺成熟与成本下探，正推动碳化硅从 " 高端选配 " 走向 " 普惠级 " 功率器件。而 IDM 模式所具备的设计工艺协同、全流程质量控制与快速迭代能力，将成为下半场竞争的核心胜负手。其判断，今年是 SiC 在 AIDC 领域应用爆发的元年，未来相关市场将呈指数级增长。

▍ DIP32 模块落地 完善车规碳化硅全场景矩阵

据刘韧介绍，本次推出的 SiC DIP32 功率模块，是方正微电子针对车载中小功率场景打造的标准化产品。该系列采用通用 DIP32 封装设计，支持客户 pin-to-pin 直接替代，大幅降低导入成本与验证周期。基于公司统一的第三代芯片平台，DIP32 模块可快速覆盖 650V、750V、1200V、1500V 乃至 2300V 全电压等级，支持根据客户需求进行定制化开发。

图：方正微电子 SiC DIP32 功率模块展示

刘韧向《科创板日报》记者透露，公司 DIP32 新品已在头部客户完成验证并拿到批量订单；与此同时，DIP 4in1 系列化封装及 2300V 功率模块，正与客户开展联合设计开发。" 目前配套的塑封产线已全面建成，机台配置齐备，产能处于充足状态 "。

车规市场是方正微碳化硅业务的核心阵地。据介绍，截至今年 4 月，方正微电子车规功率芯片累计发货稳居国产厂商前列。可靠性方面，该公司芯片通过 AEC-Q101 认证，功率模块通过 AQG-324 认证，目前 DIP32 产品已完成 2000 小时可靠性测试，正向 3000 小时推进。

应用层面，除主驱外，碳化硅器件已渗透至车载 OBC、DC-DC、智能悬架以及热管理系统。刘韧表示，车载热管理是重要增量场景，采用热泵循环的空调压缩机系统，在适宜工况下制热 COP 通常可达 3-4，显著高于传统 PTC 电加热方案（COP ≤ 1）；采用 SiC 功率器件可进一步降低逆变损耗、提升系统效率和功率密度，已有越来越多客户导入相关方案。

事实上，DIP32 只是方正微电子车规产品矩阵的一环。根据该公司产品路标，其车规 SiC MOSFET 已形成完整的电压与电阻序列，覆盖 650V-2300V，7.5m Ω -120m Ω 系列导通电阻规格，芯片平台历经 G1、G2、G3 三代迭代；封装形式涵盖裸片、TO247-4、TO263-7、TSCPAK、QDPAK 等形态。

功率模块层面，方正微电子构建了 DIP32、TPAK、HPD、HPD mini 等完整产品系列，适配从低压小功率到高压大功率的全场景需求，可满足不同级别车型、不同车载系统的差异化设计需求。

当前，AI 数据中心成为碳化硅的第二增长极。刘韧透露，公司 AIDC 相关器件已在多家 AI 数据中心头部客户完成验证导入，并锁定明年较大份额订单；DIP32 系列产品已通过头部客户验证，获得小批量订单。

刘韧分析，AI 数据中心供电正从传统 "UPS+ 服务器 PSU" 架构，向高压直流（HVDC）和固态变压器（SST）等新架构演进。将 PSU、BBU 外置到机柜侧，采用 800V 直流母线，即 HVDC/Sidecar 方案。SST 则是固态变压器，用高频电力电子变换替代传统工频变压器，可直接将中压交流变换为 800V 直流。高压母线能降低电流和线路损耗，但要求功率器件耐压更高。以上两种应用场景正是碳化硅的优势领域。

" 当前 AI 数据中心领域碳化硅渗透率接近 20%。" 刘韧判断，随着制程改进、良率提升以及衬底外延价格下降，650V 与 750V 电压段碳化硅在部分场景基本实现与硅基器件同价，在机柜级供电等新方案中碳化硅优势显著，预计从今年起将进入指数级增长阶段。

▍ IDM 模式赋能 构建端到端制造自主可控护城河

碳化硅功率器件的产业特性，决定了 IDM 是更具长期竞争力的商业模式。刘韧表示，" 公司研发团队与 Fab 厂模组团队深度协同，核心光刻机、高温离子注入机等设备可支撑未来 3-5 代产品迭代 "。

作为国内最早布局碳化硅 IDM 的企业之一，方正微电子的产业布局有着清晰的演进路径：该公司于 2003 年从硅基功率器件代工起步，2017 年正式向第三代半导体业务转型；2021 年深圳市重大产业投资集团入主后，其加速加码碳化硅全产业链投入，现已建成从衬底战略合作、自建外延、芯片设计、晶圆制造、模块封装到终端销售服务的端到端 IDM 能力，形成了 " 设计 - 工艺 - 制造 - 封装 - 服务 " 的闭环。

刘韧表示，模拟功率器件与逻辑芯片不同，设计与工艺密不可分，只有研发与产线协同才能持续打造有竞争力的工艺平台。" 公司积累了丰富的前沿工艺落地经验 "。工艺能力上，" 公司已掌握栅氧关键工艺技术，且通过电动汽车主驱大规模量产验证。基于统一工艺平台，新产品开发周期大幅缩短。" 刘韧如是说。在研发节奏上，刘韧表示，公司执行 " 预研一代、开发一代、量产一代 " 的三代产品规划，单步工艺开发同样遵循三代节奏，针对核心性能痛点做专项优化，在提升产品竞争力的同时有效控制研发及制造成本。

产能方面，刘韧给出相关规划：公司预计明年 Q2 的 8 寸 SiC 产能达 8000 片 / 月；" 今年公司 6 寸碳化硅晶圆总产能约 28 万片。全年目标是将 8 寸产能扩展至 10 万片，同时利用 6 寸与 8 寸机台的兼容性，逐步将部分 6 寸产能转移至 8 寸，并对剩余 6 寸设备进行统一改造，整体产出效率将进一步提升。分产品来看，DIP32 系列年产能约 80 万颗，正处于市场拓展期 "。

▍成本拐点临近 8 寸产线撬动产业规模化增长

谈及碳化硅量产的核心瓶颈，刘韧称 " 仍在成本 "：一方面是衬底成本，早期 8 寸碳化硅衬底良率偏低，成本一度达到 6 寸的 2 倍以上；另一方面是设备投资，目前业内多数存量 6 寸设备不具备改造为 8 寸的能力，8 寸产线需要全新的资本开支。

随着产业成熟度提升，6 寸衬底外延价格已触底反弹，8 寸价格仍处于下行通道。刘韧判断，2026 年内 8 寸与 6 寸的成本就将迎来交叉点，届时 8 寸单位成本将正式低于 6 寸。" 公司已提前布局 8 寸产品开发，做好产能切换准备 "。

从成本竞争力来看，其表示，目前公司在 650V、750V 中压领域的碳化硅器件成本已与硅基器件相当，1200V 高压领域则在性能上大幅领先硅基方案，成本控制也优于海外同行。

针对行业 " 低端产能过剩、高端车规供给不足 " 的结构性矛盾，刘韧表示，近两年国内厂商技术进步显著，头部车企与工业客户出于供应链安全考虑，开始主动导入国内头部供应商，本土替代进程正加速发展。

目前，全球碳化硅主流技术路线分为平面工艺与沟槽工艺。其中，英飞凌等国际厂商以沟槽工艺为主，其余多数厂商采用平面工艺。

刘韧分析，平面工艺质量控制更稳定，高温特性更优；沟槽工艺则在 750V 及以下导通性能上有优势。" 公司正探索超级结工艺，以解决高压器件导通电阻随耐压陡增的问题，进一步提升高压产品的性价比 "。

据刘韧介绍，未来 2-3 年，公司研发将围绕两大方向：晶圆端，中压产品持续降本，高压领域开发超级结等新工艺，突破传统工艺的性能瓶颈；模块端，基于核心工艺平台快速推出全系列产品，同时顺应车规需求从灌封向塑封升级，提升器件最高结温与输出能力，帮助客户降低系统成本。

赛道布局方面，目前电动汽车占碳化硅总需求的 60%-70%，是该公司的核心赛道；AI 数据中心则成为第二增长极；与此同时，其在拓展光储充、低空经济等场景。" 针对低空经济飞行器对功率模块紧凑化的严苛要求，公司已开展定制化适配开发 "。

刘韧表示，碳化硅产业仍处于快速渗透的早期阶段，IDM 模式在工艺迭代、质量控制与成本优化上的优势将持续显现。" 公司将坚持工艺平台化与产品差异化策略，稳步释放产能，抓住汽车与 AI 两大核心增长机遇，推动国产碳化硅向高端市场突破 "。