快科技 9 月 4 日消息，铠侠近日公布了一项战略规划，通过增强型 NAND 闪存技术替代部分 DRAM 功能，以深化与美国主要科技公司的合作，并应对竞争对手带来的市场压力。

铠侠存储技术负责人松寺胜树（Katsuki Matsudera）表示：" 闪存需求正以前所未有的速度增长。" 公司同时展出了专为 AI 工作负载设计的 CXL（Compute Express Link）模块，该产品可大幅提升 NAND 闪存的数据处理速度，目前正处于客户评估阶段。

AI 服务器通常配备多种内存类型：DRAM 用于临时数据存储，读取速度优于 NAND 闪存，并与 CPU 协同完成计算。

然而，DRAM 容量扩展困难，难以满足 AI 需求的快速增长，且成本远高于用于长期存储的 NAND 闪存，这在一定程度上制约了 AI 数据中心的普及。

铠侠的 CXL 模块旨在弥补 DRAM 的不足。该模块将高速 NAND 闪存与专用控制器结合，可将数据读取延迟降至传统 NAND 产品的十分之一以下，使性能接近 DRAM 水平。

据铠侠介绍，在系统中以 CXL 模块替换部分 DRAM，可使内存容量翻倍，整体性能提升约 30%。

此外，铠侠还展示了面向 AI 场景的新型固态硬盘（SSD）产品，计划于 2028 年开始提供读写性能增强版的样品。该 SSD 将连接英伟达 GPU，与传统的堆叠式 DRAM 高带宽内存（HBM）形成互补，满足 AI 推理等新兴应用需求。

根据美国研究机构 Gartner 预测，全球内存市场规模到 2026 年将达 8373 亿美元，较上年增长 3.8 倍，AI 驱动的需求正在快速扩容整个市场。

当前，铠侠主要专注于 NAND 闪存，而三星、SK 海力士和美光等竞争对手同时覆盖 NAND 和 DRAM 业务，产品线更为多元。通过推出 DRAM 替代方案，铠侠希望在 NAND 之外抢占部分 DRAM 需求，以稳定盈利结构，降低市场波动带来的风险。