快科技 8 月 23 日消息，半导体行业研究机构 SemiAnalysis 近日发布系列推文，深入剖析了 3D NAND 闪存制造从钨（W）向钼（Mo）转型的技术逻辑与产业趋势。

3D NAND 约在十年前即停止横向微缩，转而依靠垂直堆叠层数提升存储密度。

然而，当层数突破约 300 层后，连接各存储单元的钨字线（Word Line）遭遇多重物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺引发漏电问题，且在超深孔结构中无法实现有效填充。

SemiAnalysis 明确指出：" 钼并非优化选项，而是 300 层以上 NAND 的必选项。"

相较于钨，钼具备三项核心优势：电阻更低（带来更快读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中的填充能力更佳。

这三点恰好对应钨在深层堆叠中的关键短板，使得材料替换具备技术必然性，而非可选的工程改良。

在厂商技术节点方面，SemiAnalysis 梳理了当前各家的层数布局：铠侠 / 闪迪（Kioxia/SanDisk）为 218 层，美光（Micron）276 层，三星（Samsung）286 层，SK 海力士（SK Hynix）以 321 层领先行业。

向 3xx 至 4xx 层的跃迁已在推进，SemiAnalysis 预估，钼工艺在 NAND 总产能中的占比将从 2025 年的中个位数百分比，跃升至 2027 年的约 30%。

主要 NAND 制造商均已明确承诺向钼工艺转换，时间表日渐清晰：三星作为先行者，钼字线产品自 2024 年起已进入量产。

美光于 2025 年在 Lam Research 的 ALTUS Halo 设备上启动大规模量产；SK 海力士则计划于 2026 年底推出采用钼工艺的 375 层 NAND。

每一次钨转钼的工艺变更，均需配套新型沉积设备。SemiAnalysis 估算，仅 2027 年一年，NAND 钼沉积设备的全球销售额便将突破 10 亿美元，并随着 DRAM 和逻辑芯片领域后续跟进，到 2030 年增长至约 20 亿美元 / 年。