8 月 23 日，半导体行业研究机构 SemiAnalysis 在 X 平台发布系列推文，阐述 3D NAND 闪存制造从钨（Tungsten，W）向钼（Molybdenum，Mo）转型的技术逻辑。

3D NAND 大约十年前就停止了横向缩小，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约 300 层后，连接每个存储单元的钨字线（word lines）遭遇了物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法完成有效填充。

SemiAnalysis 在推文表示：" 钼不是一种优化，是 300 层以上 NAND 的必选项。"

与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻（带来更快的读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的三个核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的工程改进。

行业现状：量产仍在 2xx 层，转折点已至

SemiAnalysis 梳理了当前各大厂商的层数位置：铠侠 / 闪迪（Kioxia/SanDisk）处于 218 层，美光（Micron）276 层，三星（Samsung）286 层，SK 海力士以 321 层处于行业前沿。

向 3xx 至 4xx 层的跃迁正在启动。SemiAnalysis 估计，钼在 NAND 总产能中的占比将从 2025 年的中个位数百分比，增长至 2027 年的约 30%。

三大厂商全面押注

主要 NAND 制造商均已明确承诺转向钼工艺，时间表清晰：

三星是先行者，钼字线产品自 2024 年起已进入量产阶段。

美光于 2025 年在 Lam Research 的 ALTUS Halo 设备上启动大规模量产。

SK 海力士计划于 2026 年底推出采用钼工艺的 375 层 NAND。

设备商：超 10 亿美元的新增市场

每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis 估计，仅 2027 年一年，NAND 钼沉积设备的销售额就将超过 10 亿美元，并随着 DRAM 和逻辑芯片的跟进，到 2030 年增长至约 20 亿美元 / 年。

受益格局方面，Lam Research 最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI 及中国设备商 Naura（北方华创）则更多受益于后续 DRAM 和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis 表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。