虽然现在韩国在居全国之力扩大内存产量，SK 海力士和三星在韩国京畿道龙仁半导体国家产业园区的新工厂也将提前一至两年投产，但韩国媒体引用美国银行分析报告称，关于内存扩产的数字整体上并不现实，尤其是在韩国的时间表内。

虽然韩国总统李在明希望到 2030 年时能将内存产量翻一番，并对三星和 SK 海力士在光州和全罗建设的大型晶元厂保持积极乐观。但分析报告称，考虑目前的技术进步带来旧工厂的关闭，韩国的晶圆产能每年提升不到 10%，和 2030 年产能翻倍的计划相去甚远。

同时据台湾地区芯片行业内部人士透露，SK 海力士到 2028 年可能只能增产原计划量的六分之一，而且光州和全罗的新晶圆厂建设周期就需要五年左右，另外还需要三到四年时间来建立洁净室和必要的设备，整个工厂全面投产还需要十年左右的时间。

目前三星、SK 海力士和美光三家正在加州联邦法院被联合起诉，指控涉嫌勾结和价格操纵，认为内存三巨头利用其在全都 DRAM 市场的地位，集体将产能转向高价值的 HBM 高带宽内存，并消减 DDR3 和 DDR4 等旧款内存产量，人为提高内存市场价格，不当获利。

如果到 2028 年 SK 海力士的产量真的只能增加原计划的六分之一，那将更难以在法庭上摆脱罪名。