SK 海力士首席执行官预测，内存行业将在 2027 年面临 " 史上最为严重 " 的供应短缺，且供需失衡状态可能持续至 2030 年之后。这一判断与三星和美光高管此前的警告高度一致：三星指出 2027 年将是短缺峰值，状况或延续至 2028 年及以后；美光则直言当前短缺仅是 " 序幕 "，未来几年 DRAM 和 NAND 闪存供应将极度紧张，产能仅能满足总市场需求的 40% 至 50%。

AI 需求挤压通用内存供给

人工智能客户激增的需求及多年期协议的签订，进一步加剧了市场压力。三大 DRAM 制造商已优先保障 HBM（高带宽内存）和 LPDDR5X 等高端细分市场，导致 DDR5、DDR4 及入门级 LPDDR 等通用型内存被迫让位。尽管此举提升了厂商利润，却重创了消费市场，致使 PC、智能手机、游戏主机等平台及组件价格前所未有的飙升。

全球扩产计划加速推进

为应对长期短缺，三大巨头正着手实施耗资数十亿美元的多年期扩张计划。SK 海力士已在韩国多地规划新建晶圆厂和设施，并考虑在美国、日本及东南亚建厂，但最终方案尚未敲定。与此同时，美光也已启动其 DRAM 新工厂的建设。随着 AI 热潮重塑半导体格局，内存行业正进入最具挑战性的周期。

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