铠侠以新一代闪存芯片亮相 AI 数据中心市场，叠加 CEO 强硬表态，提振市场信心，股价上演深 V 逆转。

铠侠控股周四宣布，已开始向 AI 数据中心客户送样其第十代 BiCS FLASH 3D NAND 芯片，并计划于 2027 年在日本北上工厂启动量产。这是该公司迄今技术规格最高的闪存产品，存储密度较上一代旗舰产品提升约 60%，数据传输速率达 4.8Gbps，较前代提速约 30%。

铠侠首席执行官 Hiroo Ota 在媒体发布活动上明确表示，" 我们没有看到数据中心需求减弱的迹象 "，并称公司将 " 坚定回应市场增长 "，暗示不排除进一步增加资本支出。这一表态直接回应了市场对 AI 存储需求能否持续的疑虑。

Hiroo Ota 在发布会上进一步指出，随着 AI 智能体的兴起以及 AI 技术在机器人等领域的应用普及，闪存市场的扩张空间将进一步打开。

受新品发布与 CEO 强硬喊话双重催化，铠侠股价当日上演深 V 行情——盘中一度重挫逾 12%，随后强势反转，最终涨幅扩大至逾 10%。铠侠股价今年累计涨幅已超过 680%，市值跃升至日本上市公司前列。

第十代芯片：技术路线差异化，剑指超大规模数据中心

据彭博报道，铠侠此次送样的 BiCS 10 芯片采用 332 层堆叠架构，搭载该公司自主研发的 CBA（CMOS 直接键合阵列）技术，单颗容量为 1Tb TLC 存储器件，将用于固态硬盘产品。

值得关注的是，铠侠在层数选择上刻意与竞争对手形成差异。据 EE Times Japan 报道，铠侠存储业务部门总经理 Atsushi Inoue 指出，当堆叠层数超过 400 层时，读写操作中激活的存储层增多，功耗反而上升；同时，更薄的存储单元层可能降低电荷保持能力，影响长期可靠性。

铠侠方面表示，332 层设计相较 400 层以上方案，每 GB 成本可降低约 10%，功耗效率提升约 10%，存储单元可靠性提高约 35%。CBA 技术的持续应用则使铠侠在接口速度上保持领先——该技术自第八代引入以来，已将接口速率从 3.6Gbps 提升至 4.8Gbps，据 EE Times Japan 估计，这一优势令铠侠在技术进程上领先竞争对手约一年。

BiCS 10 将在铠侠位于日本岩手县北上工厂的第二座晶圆厂投产，该厂已于去年 9 月正式投入运营。

市场份额承压，数据中心是突围关键

尽管技术实力获得认可，铠侠在数据中心 NAND 市场的份额仍明显落后于韩国对手。据市场研究机构 Omdia 分析师 Akira Minamikawa 估计，2025 年三星电子在数据中心闪存市场占据约 40% 份额，SK 海力士约 30%，铠侠仅约 10%。

韩国厂商的优势在于能够将 NAND 存储芯片与高带宽内存（HBM）捆绑销售，借助 HBM 业务建立的销售渠道向超大规模数据中心客户一站式供货。铠侠目前不具备 HBM 产品线，这在一定程度上制约了其在数据中心市场的渗透。

不过，Minamikawa 对铠侠的技术竞争力给予正面评价。" 铠侠的 NAND 芯片在数据处理速度方面明显优于竞争对手，而这正是美国超大规模数据中心最看重的指标，" 他表示，"第十代芯片在这方面实现了重大突破，竞争力非常强。"

韩国对手加速扩产，行业竞争格局趋紧

铠侠推进新品的同时，韩国竞争对手正在加速布局产能。据韩国朝鲜 Biz 报道，SK 海力士于 7 月 2 日宣布计划在清州投资总计 100 万亿韩元，其中 80 万亿韩元将用于 M17 NAND 生产设施。SK 海力士 CEO Kwak Noh-jung 表示，NAND 需求正在快速增长而供给仍然偏紧，M17 工厂建设计划于明年启动，目标于 2029 年上半年投入运营。

与此同时，据 The Bell 今年 4 月报道，三星电子也计划在其平泽园区 P5 工厂新建 NAND 生产线，洁净室预计明年完工。若计划落实，这将是三星自 P3 工厂以来首次大规模扩充 NAND 产能。

三大厂商同步扩产，令市场对未来供需平衡及价格走势的担忧有所升温。这也是铠侠股价此前承压的重要背景之一。