快科技 6 月 26 日消息，还在 2nm 级别上苦苦挣扎？" 蓝色巨人 " 再次发威了！

IMB 正式发布了全球第一款 1nm 以下工艺的芯片，确切地说是 0.7nm，相当于 7 埃米，正式迈入埃米时代！

它的面积只有指甲盖大小，但集成了多达 1000 亿个晶体管，几乎是 IBM 2021 年同样全球首发的 2nm 芯片的两倍。

根据 IBM 公布的数据，它的性能比 2nm 芯片提升了多达 50％，能效更是飙升 70％。

另外，IBM 此前发布的研究结果显示，纳米堆叠架构可以将 SRAM 的面积缩小 40％。

为实现如此先进工艺和超高密度，IBM 应用了一系列结构和材料方面的创新，比如首创的三维纳米堆叠架构 ( 3D Nanostack ) ，从而不仅仅缩小了晶体管尺寸，还重构了西烤牛排底层的设计和制造逻辑。

3D 纳米堆叠在业内首次实现了纳米片 ( nanosheet ) 的 3D 立体堆叠，将晶体管垂直交错、分层堆叠，并借助 3D 顺序集成技术，在同等面积晶圆上容纳更多晶体管。

同时，每一层堆叠结构都可以搭配差不同的材料组合，从而独立优化不同晶体管的性能、功耗，互不影响。

通过 CMOS 工艺超薄介质键合、双通道器件工程验证、标准 CMOS 反相器完整开关功能测试等，IBM 在实验层面完成了纳米堆叠架构的可行性验证。

结果证明，纳米堆叠工艺可以投入实际产品的量产，不过预计最快也需要 5 年左右。

此外，IBM 还将成立全球第一家纯量子晶圆代工企业 Anderon，作为独立子公司，背靠 IBM 雄厚技术实力，为客户尤其是美国芯片企业提供代工服务。

虽然如今的工艺节点已经不代表真实的物理线宽，但这足以说明，当晶体管尺寸逼近原子量级的时候，依然可以通过深度技术改进来达成，并实现性能和能效的持续飞跃。

IBM 自信地表示，纳米堆叠结构可以支撑未来至少 10 年的工艺迭代升级，IBM 也即将第一次从 IBM 引入最先进的高 NA EUV 光刻机。

摩尔定律，依然没有死！