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六氟化钨供需矛盾持续加剧

六氟化钨是半导体制造化学气相沉积（CVD）工艺的核心前驱体材料，也是电子特气领域的刚需品种，下游应用高度集中于高端电子产业。从成熟制程到 3nm/2nm 等先进逻辑芯片、3D NAND 闪存、HBM 高带宽内存均离不开这一电子特气。

在需求端，伴随 AI 算力、存储芯片、先进制程产能持续扩张，下游刚需显著增长，六氟化钨赛道景气度持续上行。

供应方面，钨粉占六氟化钨生产成本的 60% – 70%，而我国掌握着全球超八成钨资源。

今年 1 月，我国加强对日本两用物项出口管制，钨相关物项被列入清单；5 月 9 日，国常会审议通过相关条例，对钨等战略性矿产实行刚性年度开采总量控制。

出口管制措施直接导致日本关东电化、中央硝子等合计占据全球约 25% 产能的头部厂商原料断供，其现有库存仅可维持至 6 月底，下半年供应基本无法保障，韩国主流厂商也宣布年内产品涨价 70% – 90%。

随着六氟化钨供需缺口持续扩大，产品价格也大幅飙升。

海关出口数据显示，今年 4 月，国内六氟化钨出口均价达到 149.79 美元 / 千克，较 1 月出口均价上涨 117.9%，并且 4 月出口量环比、同比均出现不同程度增长。

截至 6 月 5 日，6N 级产品报价在 220 万元 / 吨— 300 万元 / 吨区间，较 4 月初价格涨幅超过 190%；用于尖端芯片制造的 7N 级产品供应短缺，长协价在 330 万元 / 吨— 360 万元 / 吨。

另据买化塑研究院监测，截至目前，中国纯度为 99.999% 六氟化钨价格 1670-1810 元 /kg，较去年同期的 523 元 /kg 涨幅达 232.7%。

机构建议关注国内生产商发展机遇

当前全球算力基础设施建设提速，HBM 高带宽存储器作为 AI 芯片配套核心部件渗透率持续攀升，同时 3D NAND 闪存向着层数堆叠、存储密度提升方向快速迭代，两大技术变革直接拉动六氟化钨单位晶圆消耗量持续上行。

同时，考虑到日本主要六氟化钨生产商被 " 断供 "，市场普遍预期六氟化钨国产替代以及出海业务进程将大幅加速。

据 Business Research Insights 预测，2026 年全球六氟化钨市场规模约 7.4 亿美元，2035 年有望攀升至 34.5 亿美元，期间年复合增长率高达 19%。

添翼数字经济智库高级研究员吴婉莹认为，本轮海外供给危机彻底打破了长期固化的海外垄断格局，全球晶圆厂主动放宽国产供应商准入标准、压缩产品验证周期，国内特气企业正式转向主动全球化供货，标志着高端特气从周期属性向高壁垒成长属性的切换。

中信证券预计，全球六氟化钨价格将进一步大幅拉升，同时有望大幅加速六氟化钨国产替代以及出海业务进程。

华创证券近日在研报中指出，2026 年 4 月，我国六氟化钨出口实现量价齐升，单月出口均价同环比大幅增长。受下游 3D NAND 及 AI 驱动的 HBM 需求拉动，叠加日本厂商因原料管制面临断供，行业供给趋紧。

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