快科技 5 月 25 日消息，今天华为提出了全新的半导体行业新定律——韬定律（Tau），它的思路不再是传统 DUV、EUV 光刻缩小晶体管体积，而是以时间缩微替代摩尔定律几何缩微，靠逻辑折叠提高密度。

这个定律的意义怎么说都不为过，但是关键的地方不在于华为提出的定律有多大影响，而是在这套定律下华为能做出什么样的芯片，否则定律说得再好，没有实际效果也是说服不了业界的。

好在华为的何庭波也发了更有说服力的数据来佐证这套规律下的芯片数据，从发布会现场找到两张有明确数据对比的，来看下涛定律下的华为麒麟、昇腾芯片会有多少提升。

这张公布了今年的麒麟芯片的密度、性能、频率等数据，晶体管密度提升到了 238mtr/mm2，也就是 2.4 亿每平方毫米的水平，比之前大涨 53.5%，作为对比台积电的 3nm 工艺密度在 2.8 亿左右。

这个提升幅度是非常大了，要知道台积电、Intel 在 10nm 之后的工艺中每代密度提升也就是 20-30% 的水平，2nm 之后台积电甚至只有 10% 的密度提升。

不光密度大涨一半，P 核高性能核心的能效也提升了 41%，而最大频率也提升了 12.7%。

图片来源于 @超维界

这张图更是详细公布了麒麟芯片的密度及频率进化，今年的麒麟芯片可以做到 3.1GHz 频率，2030 年一路提升到 4.2GHz，2031 年等效 1.4nm 工艺的可以直接到 5.0GHz。

晶体管密度今年到 238mtr/mm2 之后，未来几代的提升不算多大，2030 年到 292mtr/mm2，但等效 1.4nm 工艺之后再次猛增到 400mtr/mm2。

与此同时，华为的超节点集群性能也会猛增，现在的 Altas950 是 8EFLOPS 性能，明年 Altas960 提升到 60EFLOPS，而下一代 Altas 则会直奔 ZFLOPS 性能，提升 125 倍。

那华为的这些芯片工艺在业界会是什么水平？此前我们发过 IMEC 的路线图，2028 年是 A14 工艺，2030 年也就是到 A10 节点，也就是等效 1nm 工艺，华为在 31 年是等效 1.4nm，时间点上落后 3 年，工艺落后大约一代。

与当前相比，华为在这个指标上已经大幅提升了，毕竟当前的 7nm 等效工艺落后台积电差不多 3-4 代了，很多技术指标是没法比的，而韬定律下就算有差距，但已经没那么大代差，能同台竞技了。

最后，华为这些路线图上还有很多细节没公布，那就是 31 年等效 1.4nm 的目标中是否包含了国产 EUV 光刻机？如果没考虑 EUV 的因素，那这个韬定律绝对是逆天级别的，说颠覆当前的半导体行业规则都不为过。

当然，要是包含了国产 EUV 在内的影响，那也一样非常牛，意味着国产半导体核心装备只用了几年时间就追上了 ASML 公司几十年的发展，老外们是该好好被震撼一下了。