快科技 5 月 24 日消息，面对技术封锁，华为通过板级封装创新实现存储领域突破。

据国际存储行业权威媒体 Blocks&Files 率先报道，近日在巴黎华为 IDI   Forum   2026 活动上，华为展示了基于自研 Die-on-Board（板上裸片封装，简称 DoB）封装技术的大容量 SSD 系列，目前已量产 61.44TB 和 122.88TB 两款产品，245TB 版本也在规划中，为 AI 数据中心和海量存储场景提供国产化方案。

由于被列入美国实体清单，华为无法获取采用美国技术生产的最新 3D   NAND 芯片，在原有库存耗尽后，只能使用长江存储等中国本土厂商生产的 NAND 闪存。如果继续沿用行业通用的传统封装方案，其 SSD 产品在容量上会明显落后于主流厂商的同类产品。

正是在这样的背景下，华为选择绕开 3D   NAND 层数竞赛，转而在板级封装领域进行底层创新，通过将 NAND 裸片直接堆叠在 PCB 板上的方式，实现了比传统 NAND 封装更高的容量密度，同时通过更紧密的芯片集成降低了生产成本。

DoB 板上裸片封装是华为自研的晶圆级组装技术，其核心逻辑与行业通用的传统 SSD 封装存在本质区别。

三星、铠侠、美光等主流厂商均采用先封装后焊接的传统模式，即先将 NAND 闪存裸片放入 TSOP（薄型小尺寸封装）或 BGA（球栅阵列封装）的标准封装体内进行多芯片堆叠，制成独立的成品芯片后，再通过引脚或焊球焊接到 SSD 的 PCB 主板上。

其中 TSOP 是早期主流封装，引脚分布在芯片两侧。BGA 则是当前通用方案，将引脚改为底部焊球，能容纳更多堆叠层，但两者都受限于封装体的固定物理尺寸，传统工艺最多只能实现 16 层裸片堆叠。

而板上裸片封装彻底跳过了 NAND 芯片的独立封装环节，直接将未经封装的 NAND 裸片焊接在 SSD 的 PCB 基板上。Blocks&Files 指出，这种设计让华为能够在不依赖高堆叠层数 3D   NAND 芯片的情况下，将单位空间内的容量密度提升了 33%，同时突破了传统 TSOP/BGA 封装的 16 层堆叠物理限制，最高可实现 36 层裸片堆叠。

当然，这种封装方式也带来了散热管理和信号完整性两大行业难题，华为研发团队经过专项技术攻关，最终实现了该技术的规模化商用。

目前，这项自研技术已全面应用于华为企业级存储产品线。本次展会展示的 OceanDisk   1800 智能盘柜在 2U 空间内可提供 1.47PB 容量，OceanDisk   1610 则能在相同空间内容纳 36 块 61.44TB   SSD，总容量达 2.2PB。

事实上，早在去年 8 月，华为就已发布搭载板上裸片封装技术的 Ocean StorPacific   9926 全闪分布式存储，该产品 2U 机箱可容纳 36 块 122.88TB   NVMeSSD，提供 4.42PB 原始容量，经 2.5:1 压缩后有效容量达 11PB。

对比来看，戴尔同规格 2U 机箱采用 40 块铠侠 245.88TBE3.LSSD，可提供 10PB 原始容量，华为虽在单盘容量上仍有差距，但已大幅缩小与国际厂商的距离。

业内分析认为，板上裸片封装技术为国产存储开辟了一条绕开 3D NAND 层数限制的新路径，也为全球存储产业的技术演进提供了新方向。