【CNMO 科技消息】据外媒报道，英特尔正在推进新一代芯片制造技术的研发。公司 CEO 陈立武在 JP 摩根技术会议上确认，英特尔目前已在开发 "10A" 和 "7A" 制造工艺，这些技术预计将在 2030 年代投入市场，将实现芯片设计的进一步微型化。

据 Tom's Hardware 报道，陈立武表示，半导体行业的大客户不仅评估单个产品，更看重企业的长期发展规划。作为晶圆代工厂，必须提前展示技术路线，因此英特尔现在已开始投资数年后才能产生经济效益的工艺。

当前英特尔的研发重点仍是即将推出的 14A 工艺。陈立武透露，14A 开发进展符合预期，早期版本的工艺设计套件（PDK）已可供客户使用，更成熟的版本将在 10 月交付外部合作伙伴。多家客户已表达对 14A 工艺的兴趣，但英特尔未披露具体名称。

按计划，14A 工艺的风险试产将于 2028 年启动，2029 年实现大规模量产。这一时间线与主要竞争对手台积电相近，后者也计划在 2020 年代末推出同类技术。

14A 将成为首批在工业规模上采用 ASML 高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻系统的制造工艺之一。陈立武指出，引入这一全新光刻技术极为复杂，除光刻机本身外，还需开发新的光掩模、材料和测量方法。英特尔正与 ASML 及其他合作伙伴密切合作，以确保该技术如期达到量产条件。ASML CEO 此前表示，首批使用 High-NA EUV 制造的测试芯片将在未来数月内完成。

与台积电的技术路线不同，英特尔在 14A 中采用了芯片背面供电技术，该技术尤其适用于高性能数据中心处理器。