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存储“双星”冲刺A股:历经十年布局,谁是最大赢家?
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海外存储企业市值 5 月创下新高,将资本市场对存储的关注度拔到历史高位。先是韩股三星电子市值突破万亿美元,成为达成这一里程碑的第二家亚洲公司,SK 海力士市值也一度突破 9000 亿美元。

国内存储原厂近日向 IPO 迈进一步,再次引发资本市场高度关注。长鑫科技 5 月 17 日更新招股书后,长存集团 5 月 19 日开启 IPO 辅导,并将于 5 月 27 日上会,从而引发关于中国版 SK 海力士、三星电子登陆二级市场、成为存储 " 双星 " 的想象。

分析这两家存储原厂的业务特点和发展历程,它们的成长既是地方产业发展的故事,也是国内厂商在前沿半导体领域进行技术和产能追赶的故事。

安徽发展战略研究会副会长林斐对第一财经记者表示,合肥、武汉能够跑出国产存储 " 双龙头 " 的根本原因是两地既有较强科创基础和科研转化能力,又有长期产业投入能力。两地充当产业长期合伙人,抢占未来产业制高点,重塑城市发展能级。

存储原厂叙事带到 A 股

长鑫科技和长存集团,一家站在 DRAM(动态随机存取存储器)领域,一家站在 NAND 闪存领域。这两个领域生产了目前全世界绝大多数存储产品。

投资者此前已经看到不少 AI 带动海外存储大厂业绩增长的故事。随着招股书数据更新,长鑫科技将存储晶圆厂业绩增长的叙事带到了国内。

长鑫科技原本预计 2026 年或 2027 年公司实现盈利,但去年提前实现了年度扭亏为盈。今年第一季度,该公司更是录得营收增长 7 倍至 508 亿元、归母净利润 247.62 亿元。

虽然跟季度营收动辄数千亿元的海外大厂还不在一个级别,但长鑫科技营收和盈利规模已然不少。晶圆制造领域,国内最大的两家晶圆代工厂中芯国际、华虹公司今年第一季度营收共 200 多亿元,不到长鑫科技营收的一半。

这两家公司的市场份额增长,几乎可以说是近年全球存储格局中最受瞩目的变化。

据市场研究机构 Counterpoint 今年 3 月发布的数据,去年第四季度,三星、SK 海力士在 NAND 闪存市场中共占近一半份额,长江存储市占率也从去年第一季度的 8% 一路上扬,第四季度达到 11%,成为一匹黑马。研究机构 Omdia 数据则显示,按 DRAM 销售额计算,长鑫科技全球市占率从去年第二季度的 3.97% 提升至第四季度的 7.67%。

两家国内厂商已被认为能影响供应格局。招商证券研报预测,2026 年长鑫科技三厂产能全部达标,产能规模有望继续提升。有消息称,三星电子 DS 部门前负责人 Kye-hyunKyung 近日则在一个论坛上预测最早明年下半年存储供应出现拐点,将主要原因指向了中国企业积极扩大产能。

按照去年 4 月养元饮品发布的投资相关公告数据计算,长存集团估值 1616 亿元。长存集团子公司长江存储则在 2025 年胡润全球独角兽榜中排名第 21,估值 1600 亿元。

长鑫科技的估值猜想中,参考其子公司长鑫新桥,去年营收 179.3 亿元,在 2025 年胡润全球独角兽榜中排名 106,估值 520 亿元。长鑫科技旗下还有营收规模更大的子公司,长鑫存储和长鑫集电去年营收规模合计超 400 亿元。

目前 A 股尚未有存储原厂标的,而主要采用 IDM 模式、涵盖晶圆设计与制造环节的存储原厂,正好处在存储领域最核心的位置。业界近期预计,长鑫科技可能成为科创板史上第二大 IPO,上市后市值或超 2 万亿元。

中国存储 " 双星 " 最大赢家

长存集团和长鑫科技此前鲜少出现在公众视野。前者的 NAND 闪存用于制作 SSD(固态硬盘)、嵌入式存储等,后者的 DRAM 产品被制作成内存条等产品,这些产品被用于企业级存储或用在汽车、手机等消费级产品等。如果不关注存储产品所使用的颗粒和性能指标,很多人只会在购买电子产品时关注到内存容量。

但 " 默默无闻 " 的存储,实际上是半导体领域除逻辑芯片之外最大的分支。生成式 AI 的出现,则让存储站到前所未有的高度。去年 11 月以来,DRAM 和 NAND 闪存产品都陷入供应紧缺和涨价状态。

对国产存储原厂而言,当下能获得市场关注,还依托于过去多年的技术部署和产能建设。

时针拨回到 2016 年,全球高端存储芯片市场超九成的份额被海外巨头垄断。同年,武汉光谷,国家存储器基地破土动工,总投资约 1600 亿元。

然而,面对现实技术环境,国内半导体产业发展每一步都显得异常艰难。2017 年初,长江存储一期正式启动,湖北基金(江城基金前身)在不到 2 个月时间内,紧急筹措资金 45.9 亿元,完成首期实缴任务。2019 年,受长江存储一期建设调整影响,湖北基金对其再次增资 21 亿元。2020 年底,因紫光集团发生债务危机,湖北基金一周内完成 21.395 亿元融资,及时承接紫光集团应出资的资本金。2021 年至 2022 年,湖北基金先后分两次,共统筹融资 168 亿元用于长江存储二期建设。每一次紧急出资,湖北基金都全力以赴保障长江存储这一战略项目的资金需求。

过去十年,湖北基金累计投资长江存储项目(含一、二、三期)约 294.96 亿元。围绕长江存储链主优势地位,武汉还在光谷启动建设了世界级存算一体化产业基地,以打造全国最完整的存储芯片全产业链。以长江存储为中心、4.5 公里为半径,在约 60 平方公里范围内建设 " 千亿级存储器产业创新街区 "。通过引进上下游合作伙伴,聚焦前沿研发,加速 NAND 闪存及新型存储产品线产能布局,并通过对齐需求、设计、技术路线与供应链,构建高效协同的 "5 分钟协作圈 "。

至此,武汉在全球存储器产业版图中跻身第一梯队的地位。随着长江存储启动 IPO 辅导,业界预测,即便是按上市后较低市值 6000 亿元估算,持有长江存储股份比例超过 50% 的武汉国资,也将收获超 1500 亿元的投资收益。

合肥则陪伴长鑫科技走过了成长的十年。2016 年,长鑫科技成立,当年合肥市产业投资(控股)集团有限公司和兆易创新就合作投资了长鑫 12 英寸存储器晶圆制造基地项目,作为中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的 DRAM 项目。

安徽、合肥国资还出现在长鑫科技的多轮融资中。发行前,长鑫科技第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业(有限合伙),持有 21.67% 股份,此外,长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有 11.71%、8.73%、8.37%、7.91% 的股份。向上穿透,前两大股东的实控人均是合肥国资,安徽省投则由安徽省国资 100% 持股。

林斐认为,武汉拥有高校科研和光电子产业基础和优势,合肥则形成了 " 科技 + 产业 + 资本 " 的产业基础与产业组织能力。两城属于科技能力强、综合成本相对可控、产业空间充足为特点的中部城市,相比一线城市更强调资本的市场效率,中部城市更有能力和底气去承接硬科技产业的长期培育。

" 这背后反映出中国制造业竞争逻辑的变化——未来先进制造业不再单纯依赖沿海集聚,而是更多向具备战略承载能力的中部核心城市延伸。" 林斐表示,存储行业具有明显周期性,三五年是难见成效的。行业低谷时,社会资本往往收缩,但真正决定产业格局的,恰恰是低谷期是否还能持续投入,帮助企业跨越最困难阶段。

此外,武汉与合肥也同时围绕存储产业布局材料、设备、封测、人才、科研平台等完整生态,从 " 项目思维 " 转向 " 生态思维 ",不只追求产业规模做大的简单 " 砸钱 ",而是对关键环节的突破,稳固产业底基,以产业链安全为目标导向的系统性投资逻辑。

技术进展如何

走在深圳华强北的摊档间,询问存储产品的配置,有时会发现一些采用进口颗粒的存储产品价格偏贵,主打更高知名度和更好的性能。

国产存储芯片并非一经问世就能与海外大牌匹敌,但随着技术提升,已在逐渐扩大使用。一名存储模组厂市场负责人向记者形容,前几年如果采用长鑫、长存的颗粒,虽然价格较低,但良率不高,整体生产成本比采用进口颗粒更高,因此该公司对采用国产颗粒较为谨慎,但 2024 年起,由于国产颗粒成熟度和良率提升,一些新项目开始采用国产颗粒。

从技术水平看,与存储密度相关的 NAND 堆叠层数是一个重要指标。目前 SK 海力士等海外原厂已量产了 300 层以上的产品,并扩展至 400 层以上层数。

长江存储则于 2018 年量产第一代 32 层 3D NAND Flash 芯片,2019 年量产 64 层 256Gb TLC 3D NAND 闪存,2020 年跳过 96 层研发两款 128 层闪存产品。不过,该公司并未公开透露最新闪存产品的层数。

另一项技术混合键合,长江存储则走得较快。这是一种将计算芯片和存储芯片互联的技术,对增加堆叠层数有关键作用。2018 年,长江存储就推出 Xtacking 架构,采用混合键合技术,该架构已经历了四代技术架构演进。

去年,关于三星电子与长江存储达成 3D NAND 混合键合专利许可协议、用于三星数 400 层以上闪存芯片研发的消息,引起了业界高度关注。长江存储虽未正面回应该消息,但该公司市场负责人随后在一个演讲中表示,一些友商在最新一代产品或未来路线图中采用了 Xtacking 类似架构,并表态公司通过创新给行业带来了核心贡献。

一名产业链人士向记者表示,为什么要专注于技术研发。以长江存储的混合键合技术为例,其优势在于能堆叠较多层数,后面业界发现这种技术正是高层数堆叠所需要的。以该技术为例,国内厂商已经有部分专利储备处于业界领先地位。

NAND 闪存厂商的竞争重点还包括 QLC(四层式储存)。长江存储已推出单晶圆 512Gb TLC、1Tb TLC、2Tb QLC 产品。今年 3 月,长江存储固态事业部负责人透露,这三款芯片已在企业市场形成规模部署,用在金融、互联网、电商等领域。

虽然长鑫存储未透露是否研发 HBM(高带宽内存),但去年底推出了 DDR5 产品系列。据长鑫存储介绍,新的 DDR5 产品最高速率达 8000Mbps,最高颗粒容量 24Gb,达到国际领先水平。

不过,两家存储原厂与海外厂商仍存在差距。TrendForce 集邦咨询分析师告诉记者,当前国内存储市场规模庞大,但由于国内厂商的制程进展限制,主流需求与供应之间仍存在一定差距。

存储器控制芯片厂商慧荣科技总经理苟嘉章向记者提到,国内存储厂商还在努力满足国内需求。他表示,海外有不少存储产能被北美数据中心客户拿走,波及其他行业供货,在这种情况下,长鑫和长江存储都在努力向国内的企业供应更多货。

据记者梳理,今年以来,也有一些存储模组或品牌厂披露与两家国产存储厂商的合作,包括江波龙、德明利。

( 本文来自第一财经 )

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