盘面上，两市午后震荡下跌，芯片设计概念下跌。相关 ETF 方面，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）标的指数收盘跌 3.17%，成交额达 4291.66 万元；换手率达 6.98%。成分股中，佰维存储、思瑞浦、普冉股份、盛科通信 -U、灿芯股份跌超 5%，芯原股份、翱捷科技 -U、芯海科技等多股跟跌。

科创芯片设计 ETF 天弘（589070）最近 20 个交易日累计获资金净流入 1.40 亿元同标的第一。截至 2026 年 3 月 30 日，该基金最新规模为 6.25 亿元，年初至今规模增长达 6.25 亿元，为同类基金第一。

科创芯片设计 ETF 天弘（589070）通过聚焦科创板芯片设计企业，实现了三大细分赛道的全覆盖，既能够捕捉单一赛道的爆发式增长，又能通过赛道分散降低个股风险。当前半导体行业处于复苏周期，叠加政策与需求双重利好，科创芯片设计 ETF 天弘（589070）的配置价值进一步凸显。

近三年数据显示，科创芯片设计指数 PE-TTM 为 171.03 倍，当前估值处于历史 0.25% 分位，低于近三年 99.75% 的时间。从估值水平来看，指数已处于历史极低区间。

消息面上，①据兴业证券，SEMICON China 2026 国际半导体展在上海举办，全球半导体产业万亿美金时代或提前至 2026 年底到来；②据招商证券，CFMS 2026 闪存大会显示 AI 服务器出货占比将突破 20%，存储短缺或延续至 2027 年；③据国金证券，三星、SK 海力士二季度 DDR5 颗粒涨价约 40%，部分产品涨幅达 100%；④据国盛证券，北方华创、中微公司等国产设备商密集发布新品；⑤据集微网，天数智芯、思瑞浦等科创板半导体企业 2025 年业绩大幅改善；⑥据网易新闻，北京大学成功研发全球首款高性能二维半导体晶圆。

爱建证券认为，2026 年科创芯片将迎来技术升级与国产替代的双重机遇，存储行业资本开支全面恢复，HBM 与 3D NAND 向高堆叠升级，驱动刻蚀、沉积等核心设备需求爆发，长鑫存储 IPO 及长江存储扩产将成为关键催化。

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