辉芒微电子领先发布DDR5新一代电源芯片FTPM5120，全面布局DDR市场

随着高性能计算（HPC）和人工智能（Ai）的高速发展，高带宽内存（HBM）也有了爆炸性的需求，突破 DDR4 性能瓶颈的 DDR5 已大规模应用，而为高带宽内存稳定、高效运行提供澎湃动力的正是 DDR5 PMIC。为应对这一趋势，JEDEC 固态技术协会在 2022 年为 DDR5 内存模组定义了第一代电源管理芯片（PMIC）标准，为全新的板载电源架构奠定了基础。2025 年，JEDEC 进一步细化了技术规范，推出了面向高算力应用场景的第二代 DDR5 PMIC 标准（即 5120 规范）。

在这一技术迭代的关口，辉芒微电子官方宣传推出符合该最新标准的 PMIC 产品 FTPM5120。作为同时具备微控制器（MCU）、非易失性存储器（EEPROM）和电源管理芯片三条产品线的半导体公司，公开信息表明他们在在 DDR5 标准制定初期就以 JEDEC 会员身份密切关注，此前推出的第一代 DDR5 PMIC FTPM5100 和 SPD Hub FT5118 已经获得了市场的高度认可。此番国内首发推出 DDR5 新一代电源芯片，更加预示了该公司在 DDR 市场全面布局的规划。

从 DDR4 到 DDR5：

PMIC 为何成为关键角色？

相比 DDR4 时代由主板直接供电的架构，DDR5 内存模组将电源管理功能移到了模组本身，即采用板载 PMIC 方案。这一架构变化使得内存供电由 " 集中式 " 变为 " 分布式 "，有效降低主板布线复杂度，同时提升了每一根内存模组的电压调节精度和信号完整性。对于高频率、高带宽的 DDR5 而言，PMIC 不仅承担电源转换的功能，更是保障系统稳定性与可靠性的核心器件之一。

新标准下的设计挑战

随着 JEDEC 第二代 DDR5 PMIC 标准的推出，芯片设计难度进一步上升。首先，更高的工作频率和更大的动态负载范围要求 PMIC 具备更快的瞬态响应能力与更精确的电压控制。其次，在有限空间内实现更大输出电流的同时，还需兼顾散热与能效，这对芯片的架构设计与工艺选型提出了更高要求。此外，声学噪声的抑制、EMI 的控制以及在多种复杂环境下的长期可靠性，也成为 PMIC 设计过程中需要综合考虑的问题。

辉芒微电子 DDR5 PMIC 第二代

相较第一代的升级在哪儿？

从辉芒微电子官网公布的参数来看，FTPM5120 相比前代 FTPM5100 有多处提升，主要表现在：

支持更高频率：内存超频可达 9000MT/s 以上；

输出电流大幅提升：SWA 和 SWB 直流输出电流从 4.0A 提升至 6.0A，瞬态电流从 5.0A 提升至 8.5A；

消除声学噪声：设定了最低工作频率（默认 50kHz），有助于消除噪声；

电压范围更宽：FTPM5120 在 JEDEC PMIC 5120 标准的基础上，将 SWA 和 SWB 最大输出电压从 1.435V 进一步提高到 2.07V，适配更多应用场景；

此外，新一代 FTPM5120 在封装脚位与寄存器定义完全兼容上一代 FTPM5100。

辉芒微电子 DDR5 的 " 全家桶 " 策略

按照 JEDEC 的定义，DDR5 内存模组除了 PMIC，还有 SPD Hub（集成了温度传感器）来管理系统配置和温度监控。在服务器 RDIMM 中，甚至还会单独集成温度传感器，以实现更精细的散热管理。

辉芒微在 DDR5 领域的布局并非单一产品线。早在 DDR4 向 DDR5 过渡的阶段，该公司就开始投入相关技术研发。2022 年，辉芒微推出了 SPD Hub 芯片 FTSPD5118，该产品已被金士顿、佰维、嘉合劲威等知名模组厂大规模使用。据了解，辉芒微是国内最早涉足 DDR5 SPD 芯片的公司之一。其自研的 Ultra EE 工艺，为 SPD 芯片提供了高可靠性的存储单元，加上 MCU 方面的积累，使得 SPD 产品在功能和稳定性上有不错的表现。

目前，辉芒微已经推出的 SPD Hub 芯片 FTSPD5118、温度传感器 FTTS511x/521x 等产品，与 PMIC 形成配套，覆盖 DDR5 模组的主要芯片需求。

辉芒微依托自身在 EEPROM 和 MCU 领域的技术积累，逐步构建起一个由 PMIC、SPD Hub、温度传感器组成的 " 三位一体 " 产品组合。这种多品类协同的策略，让它在 DDR5 模组配套芯片的供应中，具备了一定的整合优势。

DDR5 模组芯片的市场格局

内存模组的芯片体系，这一领域长期以来主要由海外半导体大厂主导，国内模组厂在核心芯片以及配套芯片上都高度依赖进口供应。在当前全球半导体供应链波动加剧的背景下，内存模组全平台芯片的国产化进程已从 " 可有可无 " 的备选，逐步走向产业链安全考量的核心议题，内存模组芯片的国产化进程受到产业链关注。对于存储模组制造商而言，稳定的本地供应渠道不仅是产能保障的一部分，也意味着更灵活的技术支持和更短的响应周期。

从更宏观的视角来看，DDR5 时代的内存颗粒、内存接口、电源管理芯片和 SPD 芯片等，正成为国产半导体产业链向高端渗透的一个缩影。过去，国产芯片在存储模组中的参与多集中于 NAND Flash 控制或较为外围的配套器件，如今，已推出 8000Mbps 速率、24Gb 大容量 DDR5 产品的长鑫存储，占据全球 RCD 芯片半壁江山的澜起科技，接口芯片国产新秀芯动科技，拥有 PMIC、SPD 和 TS 三大配套芯片的辉芒微电子，都是在内存模组芯片这一领域的持续投入和产品落地的国产化重要力量，意味着国产芯片正在 Ai 算力时代掌握自己的底层技术命脉。

DDR5 之后，下一步是什么？

当前，HPC、AI 服务器和 AIPC 正成为存储需求增长的主要推手。DDR5 作为主流内存方案，对 PMIC、SPD Hub、温度传感器的设计要求也越来越高。能否提供稳定、可靠的配套芯片组合，直接关系到内存模组的性能和良率。与此同时，行业内关于下一代 DDR6 内存的技术讨论也已展开。未来内存模组对电源管理、信号完整性与热管理的需求将进一步升级。对于芯片设计企业而言，能否在技术迭代中持续跟进国际标准、同时保持产品的自主迭代能力，将决定其在未来计算赛道中的位置。

辉芒微电子在 PMIC、SPD Hub 及温度传感器等核心配套芯片领域保持研发投入，逐步构建从 DDR5 到下一代内存技术的完整产品矩阵。对于这家从 MCU 和存储器起家的本土芯片公司而言，DDR 市场的拓展，也许正成为其进入更广阔计算赛道的重要布局。

（本文封面由 AI 生成）

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