英伟达首席执行官黄仁勋向全球存储芯片厂商发出强烈信号：尽管扩产，英伟达照单全收。

周一，黄仁勋在摩根士丹利科技大会上表示，芯片供给短缺对英伟达而言是 " 极好的消息 "，因为资源受限会促使客户更倾向于直接选择性能最强的解决方案。他更直接向 DRAM 厂商喊话：" 产能扩多少，我们（英伟达）就会用掉多少。"

这一表态被业界视为对 DRAM 产业景气的强力背书，也预示着 AI 算力军备竞赛对存储资源的需求将持续攀升。

业界认为，黄仁勋此番表态的背后，是英伟达即将推出的新一代 Vera Rubin 平台对存储资源的庞大需求。随着英伟达全力冲刺新平台，鸿海、广达、纬创等代工伙伴的接单前景也同步看好。

供给受限反成优势，英伟达全力扫货

黄仁勋在会上阐述了其对资源短缺的独特逻辑：在数据中心土地、电力、建筑等各类资源均受限的环境下，客户在采购决策上会更加审慎，并更倾向于一步到位选择最强方案。这一趋势对于存储器尤为明显。

他的表态意味着，即便 DRAM 价格因供给紧张而持续上涨，英伟达仍将维持强劲的采购力度，不会因成本压力而缩减备货。这为三星、SK 海力士、美光等全球三大 DRAM 厂商提供了明确的需求能见度。

英伟达对存储资源的渴求，与其新一代 AI 平台的技术路线密切相关。以现有的 GB300 为例，其支持的高带宽存储器（HBM）容量已高达 288GB，较 GB200 的 192GB 大幅提升。

进入 Vera Rubin 世代后，HBM 容量虽维持 288GB，但规格将从 HBM3E 升级至 HBM4。HBM4 采用 16 层堆叠设计，较 HBM3E 的 12 层堆叠更为复杂，产能自然耗损率也随之提高，单位产出消耗的存储资源将更为庞大，预计将进一步加剧 DRAM 供给短缺的局面。

三大 DRAM 厂扩产，消费端缺口短期难解

尽管三星、SK 海力士及美光均已启动扩产计划，但业界指出，三大厂商当前扩增的产能主要集中于 HBM 及企业级 DRAM，消费性 DRAM 的供给短缺问题至少在未来一年内仍难以缓解。

与此同时，HBM 以及数据中心用 LPDDR4、LPDDR5 和新一代 DDR6 的价格，预计将持续走高。供需结构的持续偏紧，为存储芯片厂商的盈利前景提供了支撑。

机构看好，英伟达持续扩大存储备货、冲刺新世代 AI 平台商机，将带动其供应链伙伴的订单动能持续升温。鸿海、广达、纬创等主要代工厂作为英伟达 AI 服务器的核心组装伙伴，有望在这一轮需求扩张中同步受益。