快科技 3 月 2 日消息，作为全球唯一量产 EUV 光刻机的企业，荷兰 ASML 在 EUV 技术研发上也快人一步，现在已经在研发第三代 EUV 光刻机了。

第一代 EUV 光刻机是目前在用的，典型特征是 NA 0.33，第二代 EUV 光刻机就是 High NA 技术的，NA 0.55，该数字越大，光刻分辨率就更高，是制造 2nm 以下工艺不可少的先进装备，未来能用到 1nm 节点以下。

High NA 的 EUV 光刻机实际上也已经少量出货，Intel 是首家用户，据说已经订购了至少三台，有可能在下一代的 14A 工艺上大量使用。

ASML 内部实际上已经在研发第三代 EUV 光刻机了，不过具体的指标还不清楚，前几天他们公布了一项革命性的 EUV 光源技术，可将功率从当前的 600W 提升到 1000W，未来可进一步提升到 1500W 甚至 2000W 功率。

这个大功率 EUV 有可能是未来第三代 EUV 光刻机的基础，ASML 首席技术官 Marco Pieters 日前在采访中表示他们不仅关注未来 5 年的技术，还有未来 10 年甚至 15 年的技术。

ASML 更远大的目标是革新当前芯片的制造方式，他们也把先进封装作为突破点来抓，也推出了先进封装用的光刻机，分辨率无需多高，此前展示的型号也就 110nm 光刻分辨率，但用于多芯片封装已经很高了。

ASML 未来的目标是像盖大楼那样生产芯片，这个理念其实多年前就有了，就是 3D 芯片，只不过之前的技术做不到，或者解决不了制造、散热等问题。