快科技 2 月 25 日消息，ASML 阿斯麦近日确认，全新一代 Twinscan NXE EUV 光刻机研发进展顺利，光源功率将提升 50％达到 1000W，生产效率也将提升 20％达到每小时 330 块晶圆，预计 2030 年或更晚时候面世。

ASML 对这一成就极为自豪，并且信心满满，认为已经找到 1500W 光源的清晰技术路径，而且理论上讲做到 2000W 也不存在根本性障碍！

当然，达成 1000W 光源和完整的光刻系统，需要突破重重障碍。

第一，ASML 必须尽快搞定 2024 年底就公布的三脉冲极紫外光生成技术。

它首先通过 1 微米的预脉冲 ( pre-pulse ) ，将锡滴压平，再经 1 微米的稀疏预脉冲 ( rarefaction pre-pulse ) ，使锡滴形成稀疏状态，最后由 10 微米的二氧化碳激光主脉冲，将锡滴转化为极紫外等离子体。

ASML 已经为此技术申请了专利，但尚未商用落地，预计要等到这个 10 年末期退出的 Twinscan NXE:4000 系列光刻机。

第二，1000W 光源必须配备全新的锡滴发生装置，使其发射频率提升近一倍，达到每秒 10 万个。

这一装置目前仍处于研发阶段，还得几年才能投入商业化。

第三，随着锡滴发射数量的大量增加，必然导致晶圆（更准确地说是晶圆保护膜）上的杂质残留量增加。

因此必须配备全新的杂质收集装置，快速清除它们。

第四，1000W 光源产生之后，精准传导至晶圆也非常难，为此需要全新的高透射投影光学系统。

该系统进一步升级后，可将产能提升至每小时超过 450 块晶圆，对应的光源功率也将达到 1500W 左右。

第五，对晶圆台和掩模台也提出了新要求，必须同步完成升级。

第六，还需要全新的光刻胶和晶圆保护膜，与之适配。

所以，一台全新光刻机的诞生，并不只是 ASML 的工作，需要整个产业链做好全面准备。

值得一提的是，ASML 还没有将 1000W EUV 光源整合到高、低数值孔径 ( NA ) EUV 光刻技术路线图中。

低 NA 方面，新一代 Twinscan NXE:4000F 光刻机计划 2027 年面市，针对 1.xnm 工艺节点设计，包括 Intel 14A 和台积电 16A/14A ) ，套刻精度可达 0.8nm，每小时产能超过 250 块晶圆。

2029 年，我们将看到 Twinscan NXE:4200G，产能每小时超过 280 块晶圆。

高 NA 方面，Twinscan EXE:5200C 光刻机明年登场，每小时产能超过 185 块晶圆，套刻精度优于 0.9nm。

2029 年，Twinscan EXE:5400D 光刻机将接踵而至，产能将突破每小时 195 片晶圆。