快科技 2 月 24 日消息，据媒体报道，ASML 首席技术专家 Michael Purvis 在接受媒体采访时透露，研究人员已成功找到将极紫外（EUV）光刻机光源功率从当前的 600 瓦提升至 1000 瓦的方法。

这并非实验室里昙花一现的演示，而是一套能够满足客户实际生产环境严苛要求、可稳定运行的完整系统。

随着光源功率跃升至千瓦级别，光刻机的产能也将随之实现跨越。据 ASML 测算，当光源功率提升至 1000 瓦后，2030 年每小时晶圆处理能力可从 220 片提升至 330 片，增幅高达 50%。

更值得关注的是，在产能大幅提升的同时，单片晶圆的制造成本基本保持不变。这意味着，芯片制造商在不增加洁净室面积、不额外采购新设备的前提下，仅通过现有设备的性能升级，就能实现产能的显著跃升。

不过，这一技术何时能够真正落地，目前尚无明确时间表。外界分析认为，ASML 未来可能会以升级套件的形式向客户提供光源升级服务，但并非所有型号的 EUV 光刻机都具备升级条件，具体适配范围仍有待进一步披露。

对于 ASML 而言，1000 瓦显然不是终点。Purvis 透露，团队已经在探索将光源功率推向 1500 瓦甚至 2000 瓦的可能性。

随着光源功率的持续攀升，EUV 光刻机的产能天花板还将被不断推高，为未来更复杂、更庞大的芯片制造需求铺平道路。