IT 之家 2 月 2 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子和 SK 海力士的 " 最尖端 " NAND 投资终于要全面启动了。

过去长期把资源优先投向 DRAM 导致计划一再推迟，随着 AI 产业推动存储需求快速上升，两家公司最近已经开始敲定具体的扩产方案。

业内消息称，三星与 SK 海力士都计划在今年第 2 季度推进最尖端 NAND 的 " 转换投资 "。

三星在 2024 年 9 月就已启动 280 层 V9 NAND 量产，但目前产能仍然很小，月产大约只有 15000 片晶圆左右。当时，三星考虑到市场需求不足，只在平泽园区部署了初期量产线。

三星接下来准备从今年第 2 季度开始扩大 V9 产能，重点放在中国西安的 X2 产线。目前西安 X2 仍主要生产 6 至 7 代旧款 NAND，而邻近的 X1 产线向第 8 代 NAND 的转换基本已经完成。

据 IT 之家了解，业内正在讨论的转换投资规模约为月产 4-5 万片晶圆。按照设备导入节奏，V9 NAND 预计从明年起正式进入量产加速阶段。

半导体业内人士说，三星原本打算在第 1 季度启动西安 X2 的 V9 转换，但日程推迟到第 2 季度。同时，平泽第 1 园区（P1）也在准备相关投资，因此明年 V9 产品的生产占比可能会明显提高。

SK 海力士方面同样在推进先进 NAND 扩产。SK 海力士计划在今年第 2 季度启动 321 层第 9 代 NAND 的转换投资，目标是在清州 M15 确保月产约 3 万片晶圆的 V9 产能。与目前约 2 万片晶圆的水平相比，这次扩产力度相当大。

业内人士认为，三星与 SK 海力士都在为先进 NAND 需求持续增长做准备。过去两家公司的设备投资几乎全部集中在 DRAM，但现在 NAND 市场也正在快速出现供应紧张迹象。