钛媒体 App 1 月 30 日消息,随着硅基芯片性能逼近物理极限,全球科学家正在寻找替代方案,以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。今日,国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文,他们创新研发 " 氧辅助金属有机化学气相沉积技术 ",突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。(新华社)

钛媒体 App 1 月 30 日消息,随着硅基芯片性能逼近物理极限,全球科学家正在寻找替代方案,以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。今日,国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文,他们创新研发 " 氧辅助金属有机化学气相沉积技术 ",突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。(新华社)
登录后才可以发布评论哦
打开小程序可以发布评论哦