文 | 产联社 CLS

1 月 19 日，一份巨额年终奖的消息引发震动，全球内存巨头 SK 海力士将向全体员工发放人均超 1.36 亿韩元 ( 约合 64 万元人民币 ) 的绩效奖金，刷新公司最高记录，也掀起了存储芯片行业巨额利润的面纱。

AI 需求大爆发，存储芯片超级周期趁势而起

2025 年，全球存储芯片市场经历了从传统周期性复苏向结构性紧缺的根本性转变。这一轮市场变革并非源于消费电子需求的回暖，而是由 AI 算力革命引发的存储资源争夺战。

TrendForce 数据显示，2025 年第三季度 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）价格同比暴涨 171.8%，其中 DDR5 16Gb 颗粒从 4.68 美元涨至 34.08 美元，涨幅达 627.79%。这种极端涨幅打破了存储行业过往的周期规律，标志着市场进入由 AI 需求主导的全新阶段。

供需格局的变化导致全球存储产能正加速向 AI 服务器与 HBM（高带宽内存）倾斜。三星、SK 海力士、美光三大巨头在 2025 年 Q4 普遍暂停 DDR5 合约报价，市场陷入 " 极度紧张 " 状态。原厂将 70% 以上的 DRAM 产能优先分配给 HBM3E 和服务器 DRAM，导致消费级 DDR4 内存出现 " 前代产品价格反超新一代 " 的异常现象—— DDR4 16Gb 价格（75 美元）较 DDR5 16Gb（34.08 美元）高出 120%，甚至出现 " 一盒 100 根 DDR4 内存条售价 400 万元 " 的极端案例，市场对存储资源极度饥渴。

NAND Flash（NAND 型闪存）市场同样呈现结构性短缺。企业级 SSD 因 AI 推理场景的高频读写需求，价格涨幅显著高于消费级产品。Wind 数据显示，64G NAND 产品 2025 年报价从年初的 4.44 美元涨至年末的 7.113 美元，涨幅超 60%。TrendForce 指出，原厂控管产能叠加服务器强劲拉货，导致普通 NAND 供给被严重挤压，供需缺口持续扩大。

存储芯片涨价周期带动产业链企业业绩全面爆发，A 股存储模组龙头佰维存储 2025 年业绩预告显示，公司归母净利润达 8.5 亿 -10 亿元，同比暴增 427.19%-520.22%，营业收入同比增长 49.36%-79.23%，印证了行业高景气度。

国产存储厂商迎来历史性突破，长鑫存储 2025 年 DRAM 出货量同比增长 50%，全球份额从 Q1 的 6% 提升至 Q4 的 8%，并实现首次扭亏为盈，预计 2025 年净利润达 20-25 亿元；长江存储在 QLC、TLC NAND 技术上实现突破，推动国产替代加速。

设计与模组企业股价集体翻倍，兆易创新 A 股股价从 2025 年初至今涨幅近 200%，市值突破 2000 亿元，并于 2026 年 1 月 13 日完成 H 股上市，标志着国产存储产业链从技术突破迈向资本化扩张。德明利、江波龙等企业亦受益于价格上涨与国产替代，区间内股价涨幅超过 300%。

失控式上涨！超级周期进入加速期

进入 2026 年，存储芯片价格上涨趋势不仅未现放缓，反而在 AI 基础设施投资持续加码的背景下加速演进。多家权威机构预测，DRAM、NAND、HBM 等核心品类价格同比涨幅将全面突破 50%，行业超级周期正从 " 复苏 " 迈向 " 过热 "。

花旗银行 2026 年 1 月最新报告将 DRAM 平均售价（ASP）同比涨幅预期从 53% 上调至 88%，远超市场此前预期。这一预测基于 AI 服务器需求的爆发式增长——单台 AI 服务器 DRAM 需求为普通服务器的 8-10 倍，而全球 DRAM 位元供应量增幅仅 15%-20%，需求增速却高达 20%-25%（国金证券数据），供需缺口持续扩大。

NAND Flash 企业级需求爆发，价格进入陡峭上涨通道。花旗将 2026 年 NAND Flash ASP 同比涨幅预期从 44% 上调至 74%，核心驱动来自企业级 SSD 对 HDD 的加速替代及 AI 温数据存储需求。国金证券预测，2026 年 NAND 位元供应量增幅为 13%-18%，需求增速则达 18%-23%，供需缺口较 DRAM 更为显著。TrendForce 数据显示，2026 年 Q1 NAND 各类产品合约价将持续上涨 33%-38%，原厂控管产能与服务器拉货排挤效应是核心原因。

HBM 作为 AI GPU 的 " 黄金搭档 "，是驱动整个存储市场大涨的核心引擎。OpenAI 的 Stargate 项目已与三星、SK 海力士签署协议，锁定每月 90 万片 DRAM 晶圆供应，超过当前全球 HBM 总产能的两倍，进一步加剧供应链紧张。在量价齐升驱动下，HBM 市场规模快速放大，机构预估 2026 年全球 HBM 市场产值将逼近 600 亿美元，年增幅接近六成，并在 2030 年前持续扩张。

存储芯片短缺的持续性远超市场预期，美光 CEO Sanjay Mehrotra 在 2026 年 Q1 财报会上明确表示：" 行业总供给将在可预见的未来大幅低于需求 "，其 Idaho 新晶圆厂预计 2027-2028 年投产，纽约新厂则要到 2030 年才能贡献产能。三星、SK 海力士虽计划扩产 HBM，但受限于技术壁垒与设备交付周期，新增产能难以在 2026 年释放。

需求端，IDC 预测全球数据量将从 2025 年的 213.6ZB 激增至 2029 年的 527.5ZB，年复合增长率 25.4%；中国数据量增速更高达 27.3%。AI 服务器、大模型训练与推理的需求仍在加速，谷歌、微软、亚马逊等 CSP 2026 年 AI 基建投资预计达 6000 亿美元，进一步拉大供需缺口。

中信建投证券电子首席分析师刘双锋指出：" 存储芯片供应短缺将在 2026 年持续并维持更久。" 行业分析普遍认为，本轮周期的核心驱动因素是需求错配、资本开支与技术迁移三重因素的叠加，其强度将在 2026 年全面显现，并可能延续至 2026 年末甚至 2027 年。

投资机遇：把握三大主线

存储芯片 " 失控式上涨 " 背景下，产业链各环节均迎来历史性投资机遇，核心聚焦于设计与模组、设备与材料、先进封装三大主线。

存储芯片是 AI 时代的 " 数字石油 "

存储芯片的 " 失控式上涨 "，本质是 AI 算力革命重构全球数字基础设施的必然结果。从 DDR4 内存条价格堪比 " 上海一套房 "，到 HBM 成为 AI 服务器的 " 黄金搭档 "，存储芯片已从过去的 " 配角 " 跃升为数字经济的 " 核心引擎 "。花旗预测的 DRAM 88%、NAND 74%、服务器 DRAM 144% 的同比涨幅，不仅远超 50% 的 " 失控阈值 "，更标志着存储行业已进入由 AI 需求主导的 " 超级周期 2.0"。

这一轮周期的持续性，将取决于 AI 算力需求的韧性与存储产能的释放节奏。当前全球存储产能集中于三星、SK 海力士、美光三大 IDM 厂商，而长鑫、长江存储等国产力量虽加速追赶，但先进制程与良率突破仍需时间。美国政府推动美光在纽约州新建 4 座晶圆厂并提供超 250 亿美元补贴，台积电调整产能满足 CoWoS 封装需求，均表明全球半导体产能正向美台集中，短期内难以形成有效竞争。

在这场存储资源的全球争夺战中，具备技术壁垒、产能优势与国产替代能力的企业将脱颖而出。对于投资者而言，把握存储芯片超级周期的核心逻辑—— "AI 算力需求→存储资源稀缺→价格持续上涨→企业盈利爆发 "，将是穿越产业变革、获取超额收益的关键。存储芯片，正成为 AI 时代不可替代的 " 数字石油 "，其价值重构才刚刚开始。