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总投资240亿美元,美光新加坡NAND新晶圆厂设施动工
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IT 之家 1 月 27 日消息,Micron 美光今日宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程。这座设施是新加坡首个双层晶圆厂,未来十年总投资约 240 亿美元(IT 之家注:现汇率约合 1671.65 亿元人民币),预计 2028 年下半年投产。

▲   美光新加坡现有 NAND 闪存制造设施

新加坡本就是美光的主要 NAND 生产基地之一,此次新建的晶圆厂洁净室空间达到 70 万平方英尺(约 65032 平方米),将与早前动工的 HBM 先进封装工厂一道满足 AI 产业快速发展带来的存储需求。

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