快科技 1 月 20 日消息，据媒体报道，存储巨头 SK 海力士已顺利完成其中国无锡工厂的制程升级，将 DRAM 生产节点从原有的 1z nm 全面转向更先进的 1a nm。

目前，无锡工厂的 DRAM 月产能约为 18 万至 19 万片 12 英寸晶圆，其中约 90% 已完成向 1a 制程的转换。在 DRAM 工艺中，1z 代表 10 纳米级别第三代制程，1a 则属于第四代。

更先进的制程意味着更高的性能、更低的功耗以及每片晶圆可产出更多芯片，此次升级使 SK 海力士在无锡得以生产性能显著提升的 DRAM 产品。

无锡工厂的升级备受关注，主要因其在全球供应链中占据关键地位——该厂贡献了 SK 海力士全球 DRAM 产量的 30% 至 40%，是公司核心的生产基地。

此前市场曾担忧，美国半导体设备出口管制可能影响无锡厂获取先进设备，进而阻碍其技术升级并冲击全球供应。目前来看，这一风险已得到有效管控。

值得注意的是，1a DRAM 制程需使用极紫外（EUV）光刻设备，而此类设备受美国管制无法直接对华出口。

为此，SK 海力士采取了 " 分段制造 " 策略：将 EUV 光刻这一关键步骤安排在韩国进行，随后把晶圆运回无锡完成后续工序。尽管该方案增加了流程复杂性与成本，但鉴于无锡厂的战略重要性，公司仍坚定推进了制程迁移。

自 2006 年投产以来，SK 海力士在无锡工厂累计投入已达数十万亿韩元。与此同时，在韩国本土，公司正加速向更先进的 1c（第六代 10 纳米级）制程迈进，相关生产主要集中在利川的 M14 和 M16 工厂。

通过这一布局，无锡工厂承担大规模、成熟制程的 DRAM 生产，韩国工厂则聚焦于最先进的 DRAM 及 HBM 等高端产品，从而在符合地缘政策要求的同时，保持技术领先地位。