尽管人工智能驱动的需求正在激增，韩国两大存储芯片巨头三星电子和 SK 海力士今年将继续削减 NAND 闪存产量。这一供应策略预计将推动 NAND 价格在服务器、PC 和移动设备等各个领域持续上涨，为两家公司带来与 DRAM 相当的利润率提升。

周二，据韩国《朝鲜日报》援引市场研究机构 Omdia 数据报道，三星电子今年 NAND 晶圆产量将从去年的 490 万片降至 468 万片，甚至低于 2024 年因盈利能力恶化而实施的减产水平。SK 海力士的 NAND 产量也将从去年约 190 万片降至今年的 170 万片。两家公司合计占据全球 NAND 闪存市场超过 60% 的份额。

这一减产决策正值英伟达等公司引领的推理 AI 竞争加剧之际。据花旗数据，英伟达将于今年下半年量产的下一代 AI 加速器 "Vera Rubin" 的固态硬盘容量达 1152TB，是现有 "Blackwell" 的 10 倍以上。预计该产品今年出货量为 3 万台，明年将达 10 万台，这将在 2026 年和 2027 年分别创造 3460 万 TB 和 1.152 亿 TB 的新增需求。

值得一提的是，由 AI 热潮驱动的全球存储芯片超级周期已转化为历史性利润，三星电子和 SK 海力士正在发放多年来规模最大的绩效奖金。三星电子半导体部门 Device Solutions 已确认，符合条件的员工本月将获得相当于基本年薪 47% 的奖金 SK 海力士分红和奖金力度更为激进，平均奖金预计将超过 1.4 亿韩元，创下历史新高。

资本支出转向高利润 DRAM

业内普遍认为，三星电子和 SK 海力士削减 NAND 产量反映出资本支出优先级已转向盈利能力最高的 DRAM。

此外，随着 AI 数据中心对高容量 SSD 的需求增长，从现有三层单元技术向更适合 AI 数据中心的四层单元技术转换过程中，不可避免地会出现自然产量损失。这一转换涉及设备安装、稳定期和初期生产良率等多重因素。

据报道，三星电子和 SK 海力士的高管认为没有理由急于增加 NAND 产量。一位半导体行业人士表示，目前尚不清楚三星电子和 SK 海力士的 NAND 减产是有意为之还是自然结果，但无论如何，减产带来的收益在今年将达到最大。

价格预期全面上涨

主要市场研究机构预计 NAND 价格将从今年第一季度开始全面上涨，并密切关注关键供应商的供应调整。

TrendForce 预计第一季度 NAND 闪存合约价格将较上季度上涨 33% 至 38%，并指出三星电子、SK 海力士等公司正维持保守的 NAND 生产立场。IDC 也预测今年 NAND 供应增长率将在 17% 左右，低于近年来的平均水平。

分析师表示，鉴于今年 NAND 市场在 AI 推动下需求激增，主要供应商三星电子和 SK 海力士的供应控制可能加深 AI 服务器以及移动设备、PC 等各领域的短缺。对于 NAND 业务，两家公司长期以来盈利能力恶化，不得不专注于价格防御，如今可以利用这轮存储芯片超级周期尽可能实现利润最大化。

三星和 SK 海力士发放创纪录奖金

三星电子和 SK 海力士正在发放多年来规模最大的绩效奖金，标志着由人工智能热潮驱动的全球存储芯片超级周期已转化为历史性利润。这两家韩国芯片巨头的大手笔分红直接反映了高带宽存储器 ( HBM ) 等 AI 芯片需求激增带来的盈利能力显著提升。

三星电子半导体部门 Device Solutions 已确认，符合条件的员工本月将获得相当于基本年薪 47% 的奖金。这一比例接近三星内部 50% 的上限，与 2023 年该部门因芯片市场低迷而奖金率为零形成鲜明对比，凸显出行业复苏的力度。

SK 海力士的分红力度更为激进，该公司取消了长期实行的 10 个月基本工资上限，改为将营业利润的 10% 用于今年的利润分享计划。基于预计 45 万亿韩元的全年营业利润和 33000 名员工，平均奖金预计将超过 1.4 亿韩元，创下历史新高。

这些创纪录的奖金发放正值两家公司将产能大规模转向 HBM 生产之际。由于 HBM 消耗的晶圆产能约为标准 DRAM 的三倍，这一转型导致 DDR5 等通用存储器供应紧张，推动整体价格上涨，为芯片制造商带来了双重利润增长动力。