摩根大通在最新研报中指出，当前头部存储芯片制造商的总市值已接近 1 万亿美元。基于历史估值中枢推算，到 2027 年这一数字将飙升至 1.5 万亿美元，意味着头部厂商仍有超过 50% 的上涨空间。

据追风交易台，12 月 14 日，摩根大通在最新报告中称，当前的周期将是历史上最长、最强劲的存储上升周期。

投资者普遍担忧 2027 年新产能会导致 DRAM 供过于求。摩根大通的数据模型显示这种担忧是多余的—— HBM 的产能挤占和 AI 推理的结构性需求（推理对内存的消耗是训练的 3 倍）将导致未来两年 DRAM 位元供应增长仍将落后于需求增长。

市场正在经历 " 双轨制 " 定价。B2B（企业级 /AI）需求强劲支撑价格高位，而 B2C（消费级）则面临周期性压力。但整体而言，服务器端的需求上行将完全抵消消费端的下行风险。

估值重塑：向 1.5 万亿美元进军

摩根大通在报告中直击投资者痛点：在存储股过去三个月大幅上涨并逼近 1 万亿美元市值大关后，下一步怎么走？

摩根大通给出的答案非常明确：继续做多。

基于 " 市值 / 市场规模（TAM）" 的估值框架，摩根大通预测 2027 年存储市场规模将达到约 4200 亿美元。取 2018 年和 2021 年周期的市销率（P/S）中值 3.5 倍计算，头部存储及内存制造商的合计市值有望在 2027 年逼近 1.5 万亿美元。

这意味着从当前水平看，头部玩家仍有超过 50% 的市场上限空间。

供需真相：2027 年依然短缺

目前市场上最大的空头论点是：2027 年的新建晶圆厂投放和加速的技术迁移将引发 DRAM 供过于求。

摩根大通通过自下而上的 " 产能 - 位元 " 分析模型驳斥了这一观点：

缺口持续：尽管 2027 年供需缺口可能从 2026 年的 5% 缩小至 3%，但仍将处于短缺状态。

产能挤占：强劲的 CSP（云服务提供商）需求迫使厂商将更多产能分配给 HBM。HBM 占 DRAM 总产能的比例将从 2025 年的 19% 大幅攀升至 2027 年的 28%。

供应受限：2026 年常规 DRAM 产能实际上预计会同比下降，即便 2027 年有三星 P4、海力士 M15X 等新产能上线，受限于洁净室空间和工艺步骤增加带来的自然产能损失，DRAM 位元出货量的增长将被限制在 20% 以下。

定价权的双城记：B2B 的盛宴与 B2C 的周期

这是一场 " 存储饥饿游戏 "。

CSP 和特定二级 / 三级消费电子品牌正在激进抢夺资源，引发了近期存储价格的急剧上涨。摩根大通预测，从 2026 年下半年到 2027 年上半年，市场将出现明显的价格分化：

B2B 端（AI 驱动）：在 AI 推理需求的支撑下，价格将保持坚挺。

B2C 端（消费级）：由于客户对高价的抵触，将面临周期性的价格下行。

关键数据预测：

2026 财年（FY26E）：摩根大通模型显示 DRAM 平均售价（ASP）将暴涨 53%，NAND ASP 上涨约 30%。

2027 财年（FY27E）：即使在价格高位持续时间延长的背景下，DRAM ASP 预计仍将微涨 1%，NAND ASP 则可能小幅回调 6%。

AI 驱动力：HBM 与 eSSD 的结构性机遇

HBM（高带宽内存）：GPU 与 ASIC 之争的顺风车 Google Gemini 3.0 的积极反馈引发了 GPU 与 ASIC 的路线之争，但这对于 HBM 需求而言是双重利好。

规格升级：Google 下一代 2nm TPU 可能采用 HBM4，加上 Rubin Pro GPU 带来的 4 倍容量增长，将持续挤压供应链。

持续短缺：摩根大通预计 HBM 的供需短缺（约 8%-12% 的缺口）将贯穿 2027 年，甚至可能延续至 2028 年。

SSD（固态硬盘）：推理应用的关键 AI 推理的兴起正在推动企业级 SSD（eSSD）的市场扩张。AI 服务器对 SSD 的搭载量是普通服务器的 3 倍。

由于 HDD（机械硬盘）厂商在 2026 年的资本开支指引谨慎，摩根大通预计 eSSD 将在未来 6 个月享受巨大的需求顺风，推动 2026 财年 NAND 价格上涨 27%。

资本开支：增长但克制

尽管存储厂商宣布了一系列产能扩张计划，但摩根大通认为其实际产生的位元供应增长将被物理迁移挑战所抵消。

设备支出先行：预计存储晶圆厂设备（WFE）的增长将大幅领先于总体资本开支的增长（2026/2027 年 DRAM WFE 分别增长 19%/26%）。

强度可控：无论是 DRAM（低于 30%）还是 NAND（低于 20%），隐含的资本密集度都将低于过去五年的平均水平。这意味着供应端仍保持着显著的纪律性。