三星电子在高带宽内存（HBM4）领域取得关键进展，其芯片已通过量产准备认证（PRA），并准备向英伟达供货。

12 月 2 日，据媒体报道，三星电子近日完成了 HBM4 的量产准备认证（PRA）。该芯片已达到三星内部量产标准，公司计划加快其进入英伟达供应链的步伐。

若获得英伟达的供货资格，三星电子在 AI 芯片供应链中的地位将显著提升。英伟达 CEO 黄仁勋此前表示不排除与三星电子合作的可能性。他强调：" 三星的 HBM 显存芯片测试合格，合作进展顺利。"

此前，在 HBM4 供应谈判中，SK 海力士已取得主导地位，成功将芯片单价推高逾 50% 至每颗 500 美元以上，进一步巩固了其在高端存储市场的定价优势。

三星电子加速追赶，内部测试传来利好消息

三星电子近日已完成 HBM4 的量产准备认证（PRA）。作为三星内部质量认证流程的最后一步，PRA 被视为产品量产的关键节点，意味着其 HBM4 已达到公司内部量产标准。行业普遍认为，此次通过 PRA 将对其后续通过英伟达最终质量测试（Qualtest）产生积极影响，并加速进入英伟达供应链进程。

三星电子最初计划在年内完成 HBM4 性能评估并启动量产，但因此前未通过英伟达质量测试而转向专注设计优化，重点改进散热表现等关键指标。近期，公司通过优化基于 1c 节点的 DRAM 成熟度，并结合 4 纳米逻辑工艺提升基础芯片性能，显著缩小了与竞争对手的技术差距。

值得关注的是，HBM4 的制造依赖 DRAM 工艺、基础芯片设计与 TSV 对准精度等多种技术的复杂整合，这些因素共同决定了芯片的发热控制与能效水平。三星电子的突破，有望改变当前 HBM 市场的竞争格局。目前，英伟达正积极确保 HBM 供应，以为其下一代 GPU"Rubin" 在明年下半年的量产做准备，这为三星电子提供了重要市场窗口。

SK 海力士抢占先机，HBM4 涨价逾 50% 获英伟达认可

SK 海力士在与英伟达的 HBM4 供应谈判中展现强势议价能力。该公司成功将 HBM4 价格推升至 "500 美元中半带 "，较前代产品涨幅超过 50%。这一价格调整充分反映出其在高端 HBM 市场的优势地位。

技术升级为大幅提价提供支撑。HBM4 的数据传输通道 ( I/O ) 达到 2048 个，是前代 HBM3E 的两倍。考虑到技术进步带来的成本增加，SK 海力士已将此前自主生产的基础芯片外包给台积电，以优化供应链并控制整体成本。

尽管英伟达最初对大幅涨价表现抗拒，并曾考虑三星电子和美光未来可能的大规模供应，导致双方谈判一度陷入僵持，但最终供应价格仍敲定在 SK 海力士提议的水平。SK 海力士高管强调，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4 具备大幅提价的结构性因素。