《科创板日报》12 月 1 日讯 伴随谷歌第七代 TPU 的崛起，HBM 市场需求或持续增长。

据韩国《朝鲜日报》等媒体报道，三星电子和 SK 海力士已成为谷歌 TPU 供应链中的关键参与者。其中，SK 海力士或成为谷歌第七代 TPU 内部 HBM3E 8 层芯片的首选供应商，并将独家为第七代改进型产品（TPU 7e）提供 HBM3E 12 层芯片，使之具备更高的能效。

KB 证券认为，谷歌通过 TPU 扩展其 AI 生态系统，或增加三星电子尖端晶圆代工厂的内存供应量，并提高其产能利用率。该机构指出，谷歌第七代 TPU 预计将采用 HBM3E，而第八代 TPU 预计将采用 HBM4，因此三星电子明年的 HBM 供应量将比上一年翻一番以上。

韩国投资证券分析师预测，今年 SK 海力士将占谷歌 TPU 中 HBM 供应量的 56.6%，三星电子将占 43.4%。Meritz Securities 则认为，SK 海力士的市场份额将达到 60%。

此前，HBM 市场素来围绕英伟达 GPU 运转，而 TPU 的出现或将颠覆此格局。与 GPU 类似，每个 TPU 内部集成 6-8 个 HBM 模块，因此 TPU 的扩展将直接决定未来 HBM 需求。而除了 TPU 外，韩国投资证券指出，来自 Meta 和亚马逊 AWS 的定制芯片也有望推动 HBM 市场增长。

HBM 需求的增长则有望继续带动 DRAM 价格，KB 证券表示，2026 年服务器采用的 DRAM 需求将比上一年增长 35%，但供应量却最多增长 20%，意味着其价格上涨势头可能加剧。

基于上述趋势，DRAM 和 NAND Flash 原厂的重心正逐渐转变，从单纯扩产转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及 HBM 等高附加价值产品。

根据 TrendForce 的数据，2025 年 DRAM 的资本支出预计为 537 亿美元，预计在 2026 年进一步成长至 613 亿美元，同比增长约 14%。2025 年 NAND Flash 的资本支出预计为 211 亿美元，2026 年预计小幅增长至 222 亿美元，同比增长约 5%。

国金证券指出，AI 驱动存储需求快速攀升，存储原厂资本开支还未进入扩张周期。当前行业无尘室空间已接近瓶颈，各大 DRAM 厂商中仅三星与 SK 海力士仍具备有限的扩线空间，即使资本开支上修，2026 年产能增量亦有限。

在新增产能有限的前提下，中泰证券表示，受 AI 推理需求爆发的驱动，判断 2026 年全年存储将处于供需偏紧的状态。目前除了主流 DRAM、NAND 价格上涨外，利基存储 DRAM、2DNAND（包括 SLC、MLCNAND）和 NORFlash 自 25Q3 全面涨价。存储超级大周期，驱动存储公司 Q3 开始盈利能力明显提升，预计随着后续继续涨价，盈利能力有望持续提升。