快科技 2 月 25 日消息，Intel 宣布，ASML 首批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机已经在其工厂投入生产。初步数据显示，其效率、可靠性比上一代 EUV 光刻机都有明显提升。

Intel 资深首席工程师 Steve Carson 表示，Intel 利用先进光刻机已在一季内生产 3 万片晶圆，这些晶圆可以产出数千颗计算芯片。

这两台光刻机是目前世界上最先进的光刻机，能够比之前的阿斯麦光刻机生产出更小、更快的计算芯片。

去年，Intel 成为了全球首家接收这些光刻机的芯片制造商。此举是 Intel 的战略转变，该公司在采用上一代极紫外 （EUV） 光刻机方面落后于竞争对手。

Intel 花了七年时间才将之前的机器全面投入生产，导致其领先优势被台积电超越。 在生产初期，Intel 曾因先前那些 EUV 机型的可靠性问题而遇到挫折。

不过 Carson 表示，ASML 的高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机在初步测试中的可靠性大约是前一代机器的两倍，" 我们能以一致速度生产晶圆，这对平台是一大帮助 "。

同时，新的光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。 Carson 指出，Intel 工厂的早期结果显示，高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机只需要一次曝光和个位数的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约 40 个处理步骤的工作。

去年 2 月份，ASML 首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的 High NA EUV 光刻机。

据悉，一套 High NA EUV 光刻机的大小等同于一台双层巴士，重量更高达 150 吨，组装起来比卡车还大，需要被分装在 250 个单独的板条箱中进行运输。

装机时间预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能安装完成。

根据爆料显示，High NA EUV 的售价高达 3.5 亿欧元一台，约合人民币 27 亿元，它将成为全球三大晶圆制造厂实现 2nm 以下先进制程大规模量产的必备武器。

2023 年 12 月，Intel 率先拿下了全球首台 High NA EUV 光刻机，台积电和三星订购 High NA EUV 预计最快 2026 年到货。

公开资料显示，NA 数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。

一般来说，金属间距缩小到 30nm 以下之后，也就是对应的工艺节点超越 5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用 EUV 双重曝光或曝光成形 ( pattern shaping ) 技术来辅助。

这样不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高数值孔径成为必需。

Intel 表示，计划使用 High NA EUV 光刻机来协助开发其 18A 制程，该技术预计今年稍晚时随着新一代 PC 芯片进入量产。

此外，Intel 计划在下一代 14A 制程中全面导入这款设备，但尚未公布该技术量产时间。