上个月有报道称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代 3D TLC   NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使其成为了全球 NAND 闪存市场的有力竞争者。

据 TrendForce报道，三星将从第 10 代 V-NAND 闪存开始，采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在 2025 年下半年开始量产第 10 代 V-NAND 闪存，预计总层数达到 420 层至 430 层。此外，传闻 SK 海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。

大概在四年前，长江存储率先将名为 " 晶栈（Xtacking）架构 " 的混合键合技术应用于 3D NAND 闪存，随后逐步建立了强大的专利组合。三星在之前的 NAND 闪存里采用了 COP（Cell-on-Periphery）结构，将外围电路放在一块晶圆上，然后单元堆叠在上面，不过当层数超过 400 层时，下层外围电路的压力会影响可靠性。改用混合键合技术后，消除了对凸块的需求，缩短了电路，从而提高了性能和散热性。

据了解，目前 Xperi、长江存储、以及台积电（TSMC）拥有大多数混合键合技术的专利。三星之所以选择与长江存储合作，很大程度上是因为接下来的第 11 代和第 12 代 V-NAND 闪存都很难绕过后者的专利。