据 TomsHardware报道，TechInsights 和 SemiWiki 在 IEDM 2025 上公布了 Intel 18A 和 TSMC N2 制程技术的关键细节。根据 TechInsights 的说法，英特尔的新工艺可以提供更好的性能，而台积电则有着更高的晶体管密度。

TechInsights 的分析师认为，N2 的高密度标准单元晶体管密度为 313 MTr/mm ²，远高于 Intel 18A（238 MTr/mm ²），也高于三星的 SF2/SF3P（231 MTr/mm ²）。需要注意的是，这里只是按照标准单元晶体管的统计，而在实际应用中，不同产品也会使用不同的晶体管单元，包括高密度（HD）、高性能（HP）和低功耗（LP），何况像台积电还有 FinFlex 和 NanoFlex 这样的功能。

在性能方面，TechInsights 表示 Intel 18A 领先于 N2 和 SF2（以往称为 SF3P）。不过 TechInsights 采用的方法也引起了一些争议，因为是以过去台积电的 N16FF 和三星的 14nm 制程技术作为基准，这种预估方式可能不完全准确。

由于 Intel 18A 是英特尔针对高性能处理器而设计的，因此可以根据性能和功率效率进行定制。英特尔还在 Intel 18A 引入了 PowerVia 背部供电技术，大大提升了晶体管密度和性能，N2 没有类似的设计，要等到 A16 才会加入超级电轨（Super Power Rail）架构。当然，支持 PowerVia 不代表采用 Intel 18A 工艺一定会使用，所以具体到每一款芯片情况会不一样。

至于功耗方面，TechInsights 称 N2 比起 SF2 更省电，近年来台积电在能耗方面一直处于领先地位。英特尔还有待观察，应该也不错。