三星位于西安的 NAND 闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，也是最大的存储芯片生产基地。三星前后花了十年的时间建设，分为两期工程，总产量最高可达到每月 25 万片晶圆，是全球单个产能最高的 NAND 闪存工厂，占据了三星约 40% 的 NAND 闪存产量。此前有报道称，三星已经决定削减西安工厂的 NAND 闪存产量，减少 10% 以上。传闻原因除了应对价格下降、保持利润率，同时还打算升级到新的工艺。

据 TrendForce报道，三星计划升级西安工厂的生产线，过渡到 286 层第 9 代 V-NAND 闪存。这一努力旨在抵消持续市场需求下滑的影响，另外也是为了提升产品竞争力，应对来自中国厂商的竞争及市场的需求。最近有消息称，长江存储（YMTC）已经开始出货第五代 3D TLC   NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层，无论密度还是总层数，都已提高到目前业界的最高水平。

其实三星的西安工厂在 2023 年就进行过一次升级，从 128 层第 6 代 V-NAND 闪存升级到 236 层第 8 代 V-NAND 闪存。据了解，三星计划在 2025 年上半年引入所需要的设备，下半年开始建造生产线，预计初期月产能在 2000 至 5000 片晶圆之间。

此外，三星从 2024 年下半年开始就在其平泽 P1 工厂搭建新的生产线，为第 10 代 V-NAND 闪存量产做准备，预计 2025 年下半年投入使用。