近日，拓诺稀科技完成天使轮融资，本轮融资数百万元人民币，由力合科创领投。

此次融资将用于引进先进设备，提升 MOCVD 和 mist-CVD 技术路线的产能，以满足快速增长的市场需求。

拓诺稀科技是一家氧化镓外延薄膜制备及高性能半导体器件研发商，聚焦于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发，并在非晶氧化镓薄膜技术及离子注入装置领域拥有核心专利。

随着全球电子信息产业的高速发展，第三代、第四代半导体材料的创新已成为各国竞相追逐的焦点。其中，氧化镓（Ga ₂ O ₃）作为一种具有超宽禁带的半导体材料，在高压功率电子、射频通讯、光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。氧化镓凭借其高击穿电场强度和高热导率，为高功率和高频应用带来了显著的优势，成为新一代半导体材料中的热门研究方向。

然而，全球范围内对氧化镓外延材料和器件的开发尚处于早期阶段，国内市场在这一领域存在较大的技术空白。为填补国内在氧化镓技术上的不足，拓诺稀科技聚焦于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发，致力于成为全球氧化镓半导体器件的重要供应商，推动功率电子和光电探测等领域的技术进步。

力合科创创新部成果转化项目经理张恒嘉表示：拓诺稀科技专注的第四代半导体氧化镓外延生长，属于材料底层创新。在全球半导体技术升级和国产替代需求日益迫切的背景下，其研发方向具有深远的战略意义。其 P 型掺杂技术更是创新性突破国际难题，在高性能半导体器件的开发方面具有很好的想象力。