快科技 9 月 20 日消息，据媒体报道，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。

长江存储自研 Xtacking 架构可让 3D NAND 的层数堆叠到 232 层，即使与美光、三星和 SK 海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。

据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出 3D NAND 闪存芯片。

TechInsights 称，虽然长江存储仍继续依赖 ASML 和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

不过长江存储使用国产设备生产的最新 NAND 芯片在堆叠层数上做了相应的妥协，比早期产品少了约 70 层，且产量较低。

对此长江存储在回应中表示，公司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关，随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，会不断增加堆叠层数。