（全球 TMT2024 年 9 月 12 日讯）三星电子 9 月 12 日宣布，首款 1 太比特 ( Tb ) 四层单元 ( QLC ) 第九代 V-NAND 已正式开始量产。今年四月，三星启动了其首批三层单元 ( TLC ) 第九代 V-NAND 的量产，随后又实现了 QLC 第九代 V-NAND 的量产，这进一步巩固了三星在高容量、高性能 NAND 闪存市场中的地位。随着企业级 SSD 市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，三星计划扩大 QLC 第九代 V- NAND 的应用范围，从品牌消费类产品扩展到移动通用闪存 ( UFS ) 、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

三星半导体 1TB QLC 第九代 V-NAND

三星 QLC 第九代 V-NAND 综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破。通道孔蚀刻技术能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数，并优化存储单元面积及外围电路，使位密度比上一代 QLC V-NAND 提升约 86%。预设模具技术调整控制存储单元字线间距，使数据保存性能相比之前的版本提升约 20%，增强了产品的可靠性。预测程序技术让写入性能翻倍，数据输入 / 输出速度提升 60%。低功耗设计使得数据读取功耗分别下降约 30% 和 50%，降低驱动 NAND 存储单元所需电压，从而尽可能减少功耗。