全球TMT 09-11
SK启方半导体发布第四代0.18微米BCD工艺,提升移动和汽车功率半导体性能
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(全球 TMT2024 年 9 月 11 日讯)韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK 启方半导体 ( SK keyfoundry ) 宣布推出其第四代 0.18 微米 BCD 工艺,性能较之前的第三代提升了约 20%。该工艺提供高达 40V 的功率器件,并支持多种功率器件栅极输入电压,如 3.3V、5V 和 18V,可应用于服务器和笔记本电脑 PMIC、DDR5 内存 PMIC、移动充电器、音频放大器和汽车栅极驱动器等。此外,还提供 MTP(可多次编程)/OTP(一次性编程)存储器、SRAM 存储器等选项,帮助客户更好地进行产品设计。

第四代 0.18 微米 BCD 工艺符合汽车质量标准 AEC-Q100 Grade 1,确保集成电路在 125 ℃的高温环境下稳定运行,适用于汽车功率半导体。厚 IMD(金属间介质)选项使得汽车产品设计能够承受超过 15,000V 的电压。凭借从第三代 0.18 微米 BCD 工艺中积攒的量产经验以及客户信任,该公司期望新一代工艺能够延长移动设备电池寿命,通过减少发热实现稳定性能,并提高汽车用功率半导体的能源效率来改善整体性能。

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功率半导体 第四代 半导体 编程 韩国
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