证券之星消息，根据天眼查 APP 数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为 " 防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 "，专利申请号为 CN202010874907.6，授权日为 2024 年 9 月 6 日。

专利摘要：本发明涉及一种防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型阱区与源极金属。本发明结构由于采用了研磨工艺去除了平台区顶部的第一导电类型源区，使得源极金属与第二导电类型阱区的接触面积明显增加，减小了寄生基极电阻，在器件击穿时，寄生三极管不容易开启；当本发明的第二导电类型阱区呈块状设置在所述平台区顶部的两侧的第一导电类型源区之间时，不仅可以使得寄生基极电阻减小，抑制寄生三极管开启，更能够防止第二导电类型阱区影响阈值电压。

今年以来新洁能新获得专利授权 26 个，较去年同期增加了 85.71%。结合公司 2024 年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了 4046.81 万元，同比减 13.75%。

数据来源：天眼查 APP

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