（全球 TMT2024 年 8 月 29 日讯）SK 海力士宣布，该公司已开发出业界首款采用 1c 节点的 16Gb DDR5，这是第六代 10nm 工艺。这一成功标志着存储器制程技术向接近 10nm 水平的极限扩展的开始。

虽然推进 10nm DRAM 微缩工艺的难度已经增加了几代，但 SK 海力士凭借业界领先的第五代 10nm 制程技术 "1b"，在业界率先突破了技术限制，提高了设计完成度。SK 海力士表示，将在年内批量生产 1c DDR5，并从明年开始批量出货。

与上一代产品相比，新产品在极紫外光 ( EUV ) 的某些工艺中采用了新材料，同时优化了 EUV 的总体应用工艺，从而提高了成本竞争力。SK 海力士也通过设计技术革新，将生产效率提高了 30% 以上。

预计将用于高性能数据中心的 1c DDR5 的运行速度比上一代提高了 11%，达到 8Gbps。随着电源效率的提高，SK 海力士预计，在 AI 时代的进步导致功耗增加的情况下，采用 1c DRAM 将帮助数据中心将电力成本降低多达 30%。