SK 海力士宣布，已成功开发出全球首款采用 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺的 16Gb DDR5 DRAM，向世界展现了 10nm 出头的超微细化存储工艺技术。SK 海力士将在年内完成 1cnm DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，继续引领半导体存储器市场的发展。

SK 海力士是在基于目前最高性能的 1 β ( b ) nm（第五代 10nm 级别）工艺扩展平台上，以最高效的方法开发出 1cnm 工艺。SK 海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内最高性能 DRAM 转移到新工艺。在这个过程中，SK 海力士运用了新材料，并针对 EUV 适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。与此同时，SK 海力士在 1cnm 工艺上也进行了设计技术革新，与前一代 1 β ( b ) nm 工艺相比，生产率提高了 30% 以上。

这次 1cnm DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，运行速率为 8Gbps，与前一代相比速度提高了 11%，另外能效也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，SK 海力士称改用 1cnm DDR5 DRAM 后，可以为数据中心节省 30% 以上的电费。

SK 海力士表示，新的 1cnm 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，计划应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先进 DRAM 主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。