财联社 8 月 29 日讯（编辑 周子意）全球第二大存储芯片制造商 SK 海力士周四（8 月 29 日）表示，已开发出业界首款第六代 10 纳米级动态随机存取存储器（DRAM）芯片，该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。

SK 海力士在一份声明中表示，这款 DRAM 芯片名为 1c 16Gb DDR5，其中的 1c 代表了 SK 海力士的第六代 10 纳米工艺。

据介绍，此次 1c 16Gb DDR5 芯片将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%；此外该芯片还比前一代的能效提高了 9% 以上。

该公司还表示，在当前人工智能蓬勃发展的时期，这可以帮助数据中心减少多达 30% 的电力成本。

此次的 1c 工艺是以 1 β 工艺为基础，1 β 工艺就是上一代 DRAM 芯片采用的第五代 10 纳米技术，其以最佳性能的 DRAM 而广受赞誉的。为了减少在推进过程中产生的潜在错误，并以最有效的方式转移 1 β 的优势，该公司扩展了 1 β 的 DRAM 平台以开发 1c。

公司声明中写道，" 公司以第五代（1 β）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。"

DRAM 开发部门负责人 Kim Jonghwan 表示，"1c 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代 HBM1、LPDDR62、GDDR73 等最先进 DRAM 主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。"