在 8 月 6 日至 8 日于美国加利福尼亚州圣克拉拉市举行的 " 全球闪存峰会 2024（Future of Memory and Storage，FMS）" 上，SK 海力士以 "Memory, The Power of AI" 为口号参加此次活动，全方位展示了其突破性的 AI 内存技术，另外还有涵盖 DRAM、SSD 和 CXL 等领域的解决方案。随着 AI 市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。

SK 海力士在 FMS 2024 的展台由四部分组成，展示了主题演讲和会议演讲中提到的众多产品。展台的一大亮点是 12 层垂直堆叠的 HBM3E 样品，这是 SK 海力士下一代 AI 内存解决方案的主力产品，预计 2024 年第三季度量产。SK 海力士还使用其合作伙伴的系统进行了产品演示，突出了与各大科技公司的紧密合作。

SK 海力士还展出了具备计算能力的 GDDR6-AiM、针对 AI 应用优化的超低功耗 LPDDR5T、基于 PCIe 5.0 打造的 eSSD PS1010、支持尚未发布的 UFS 4.1 协议的闪存、可提升数据管理效率的 ZUFS 4.0 产品、以及下一代内存解决方案 CMS 2.0 等。

值得注意的是，这次 SK 海力士首度展出了接口速率达到 3.2 Gbps 的 V9 2Tb QLC NAND 闪存，以及 3.6 Gbps 的 V9H 1Tb TLC NAND 闪存。目前 SK 海力士的 NAND 闪存堆叠层数已达到 321 层，为业界最高水平。

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