《科创板日报》8 月 2 日讯（记者 郭辉）今日（8 月 2 日），中微公司迎来成立 20 周年纪念日。同日，总投资 15 亿元的中微临港产业化基地项目正式落成启用。

中微公司创始人、董事长兼总经理尹志尧致辞中表示，20 年前，中微公司从一张白纸开始决心研发高端半导体设备，为产业需求提供优质高效和低成本的解决方案。" 过去的 20 年是全球数码时代大发展的 20 年，也是中国集成电路产业急起直追、国产化进程加速落地的 20 年。"

在尹志尧看来，" 中微公司抓住了每一次技术更新的机遇，抓住了一次次政策改革的机遇。下一个 20 年，公司要实现新的跨越。" 尹志尧称，立志将中微公司打造成为 " 集成电路微观加工设备的百年企业 "。

中微公司创始人、董事长兼总经理尹志尧博士

值得一提的是，中芯国际创始人张汝京、长江存储董事长陈南翔在中微公司 20 周年庆典活动中露面并致辞。

20 年历程多设备线突破发展

回顾中微公司二十年发展历程，从尹志尧博士 2004 年归国创立仅有 15 人团队的中微，到如今，这家公司已逐渐成长为全球员工超过两千人。同时，中微股份也从张江高科技园区内一间不起眼的办公室，逐步发展为厂房和办公楼面积即将达到 45 万平方米的规模。

从 2007 年首台刻蚀设备、薄膜设备研制成功并运往国内客户，到 2024 年，中微公司累计已有超 5000 个反应台在国内外 130 多条生产线实现量产和大规模重复性销售。

尹志尧表示，半导体微观加工设备产业是数码产业的基础。中微公司刻蚀机包括 CCP 高能等离子刻蚀机、ICP 低能等离子刻蚀机。凭借行业首创的刻蚀设备双台机技术，中微公司率先提出 " 皮米级 " 加工精度概念，其刻蚀精度已达到 100" 皮米 " 以下水平，且产品具备刻蚀应用覆盖丰富等优势，可满足 90% 以上的刻蚀应用需求，技术能力已覆盖 5 纳米及以下更先进水平。

MOCVD 设备方面，中微公司已在氮化镓及 LED 设备市场，取得具有优势的占有率。中微公司自推出第一代 MOCVD 设备以来，不断丰富产品线且快速升级迭代，目前在 Mini LED 等氮化镓基设备领域，中微公司的市场占有率居前，并持续开发用于氮化镓、碳化硅等功率器件及 Micro-LED 器件制造的 MOCVD 设备。

在半导体薄膜沉积设备领域，中微公司推出了 Preforma Uniflex CW 等新产品，获得客户重复性订单并实现业务多元化发展。今年，中微公司计划将推出超过 10 款新型薄膜沉积设备，进一步扩大薄膜沉积领域产品覆盖度。

此外，中微公司新开发的硅和锗硅外延 EPI 设备、晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备等多款新产品，也会在近期投入市场验证。

值得关注的是，整合产业链上下游相关资源也是中微公司面向未来发展的一项发力点，通过积极考虑投资和并购，推动该公司更快发展。中微公司预计，在未来的五到十年，将通过自主研发以及携手行业合作伙伴，覆盖集成电路关键领域 50% 至 60% 的设备。

临港产业化基地启用

中微公司临港产业化基地今日（8 月 2 日）正式启用，该基地占地约 157 亩、总建筑面积约 18 万平方米，项目基础建设总投资约 15 亿元。

据了解，该项目配备行业先进实验室、高标准洁净室、先进生产车间及智能化立体仓库等设施，可实现生产全程数字化、智能化管理，将能够为该公司进一步强化生产能力、研发能力和科技创新水平提供支撑。

目前，位于上海滴水湖畔的中微临港总部暨研发大楼也正在建设中，建成后占地面积约 10 万平方米。未来，中微公司的生产和研发基地总面积将达到约 45 万平方米。

" 首过往的二十年，中微公司实现了从一到十的进展。展望下一个二十年，我们要实现十到一百的跨越。" 尹志尧博士表示，立志将中微公司打造成为半导体集成电路微观加工设备的百年企业，同时中微目标在 2035 年在规模和竞争力上成为全球第一流的半导体设备公司。

尹志尧博士是 1944 年生人，今年已有 80 岁。他在现场表示，他对中微公司的发展前景有充分信心，同时期待 20 年后在庆祝中微公司 40 周年之时再相聚。

在今日（8 月 2 日）的中微公司 20 周年庆上，中芯国际创始人张汝京、长江存储董事长陈南翔出席活动，并作为中微公司的客户或合作伙伴致辞。

张汝京回忆了中微公司创立前，自己鼓励尹志尧博士回国创业，并在中微股份 2007 年推出第一台双腔刻蚀设备后中芯国际当即采购使用的经历。

陈南翔发言称，国内做半导体设备的公司很多，在真正有创新力的企业中，中微公司是典型代表。"20 年来中微公司也成就了国内半导体设备产业，并为行业留下了许多难得的发现机遇。"