美光宣布，其采用第九代（G9）3D TLC NAND 闪存技术的 SSD 产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商。其层数达到了 276 层，具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率，提供了卓越的 NAND 输入 / 输出（I/O）速率，满足了人工智能（AI）及其他数据密集型应用场景高吞吐需求，带来了出色的性能，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。

美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：" 美光 G9 NAND 技术的量产彰显了美光在制程技术和设计创新方面的实力，提供了市场领先的密度，实现了更紧凑、更高效的存储解决方案，为消费者和企业带来显著的收益。"

与市场上现有的同类 NAND 解决方案相比，G9 NAND 的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出 99% 和 88%，共同提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能与能效。与前一代 NAND 产品相同，G9 NAND 采用了 11.5mm x 13.5mm 的紧凑封装，比同类产品节省了 28% 的空间，是出色的小尺寸、高密度 NAND 闪存设计。美光在更小的尺寸内实现更高的密度，从而最大限度地增加了各种用例的设计选择。

美光还带来了 2650 系列 SSD 产品，融入了新一代 3D TLC NAND 闪存技术。其采用了单面芯片设计，支持 PCIe 4.0 × 4 接口，可选 M.2 2230 / 2242 / 2280 三种外形规格，最高顺序读取和顺序写入速度分别为 7000 MB/s 和 6000 MB/s，最高 4K 随机读取 / 写入均为 1M IOPS，提供了 256GB、512GB 和 1TB 容量，对应的 TBW 分别为 200TB、300TB 和 600TB。

美光表示，与同类竞品相比，2650 系列 SSD 连续读取性能提升了 70%，连续写入性能提升了 103%，随机读取性能提升了 156%，随机写入性能提升了 85%。除了面向客户端 OEM 市场，G9 NAND 还将用于客户端组件和英睿达（Crucial）的 SSD 消费类产品。