证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为 " 源极底置 Si 基 GaNHEMT 器件 "，专利申请号为 CN202323267348.0，授权日为 2024 年 7 月 30 日。

专利摘要：源极底置 Si 基 GaN HEMT 器件，涉及一种半导体技术领域。包括 Si 基 GaN 外延片；所述 Si 基 GaN 外延片的底面设有源电极，顶面设有延伸至 GaN 本征层下方的 U 型槽；所述 U 型槽的内侧壁设有从槽底向上延伸至 GaN 本征层的 P 型 Si；所述 P 型 Si 上设有延伸至与 AlGaN 势垒层顶面齐平的 N 型 Si；所述 U 型槽内设有与 N 型 Si 和 P 型 Si 贴合并覆盖 U 型槽槽底的隔离层；所述隔离层内设有多晶硅；所述多晶硅上设有栅电极；所述 Si 基 GaN 外延片的端部设有从 GaN 本征层向上延伸并从 AlGaN 势垒层顶面伸出的漏电极。沟道电阻变小有利于减小器件导通损耗并提升器件工作效率，有利于器件工作在更大功率条件下，从而推动 Si 基 GaN HEMT 在电力电子领域的发展和应用。

今年以来扬杰科技新获得专利授权 60 个，较去年同期增加了 106.9%。结合公司 2023 年年报财务数据，2023 年公司在研发方面投入了 3.56 亿元，同比增 21.57%。

数据来源：企查查

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