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安世中国以车规器件底座,筑牢智能驾驶产业链供应链安全
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随着新能源汽车与智能网联汽车产业政策持续深化,汽车芯片标准体系建设和产业链供应链自主可控,已成为产业升级的关键命题。高级驾驶辅助系统(ADAS)作为智能网联汽车安全与智能化的核心载体,正成为汽车芯片国产化的重要突破口。工信部数据显示,2026 年 1 — 2 月,我国具备 L2 级组合驾驶辅助功能的乘用车新车渗透率已达 69.15%,同比提高 10 个百分点;到 2026 年上半年,这一数字升至 70.5%,相当于每卖出十辆新车,就有七辆搭载 L2。

辅助驾驶的可靠运行,离不开大量基础半导体器件的支撑。一套典型 ADAS 系统由感知层(前视 / 环视摄像头、毫米波雷达、激光雷达、IMU 等)、融合决策层(ADAS 域控制器,含电源保护、信号调理、安全 MCU、主 SoC)和车载网络(车载以太网、CAN FD、GMSL2、LIN 等)构成。安世中国不做传感器与主 SoC,而是为每一颗传感器和域控制器提供 " 电源入口防护—供电管理与转换—信号与逻辑—通信接口保护 " 四大基础功能的车规分立与电源器件。这四类功能不随传感器形态改变,在各节点高度通用,是感知硬件稳定可靠工作的 " 隐形底座 "。行业测算显示,一台高阶 ADAS 域控制器约需 16 — 32 颗车规 MOSFET,分布于电源入口、激光雷达电源板、板载 Buck、Buck-boost 升降压和传感器外围五大位置。

全链路车规方案,助力智能驾驶芯片自主可控

安世中国围绕 ADAS 构建了覆盖四大功能、跨感知与决策全节点的车规器件方案。在电源入口,采用高侧 MOSFET 理想二极管拓扑替代传统肖特基,配合肖特基与功率 TVS,实现电池反接、热插拔、负载突降全防护;在供电环节,Buck/Buck-boost 功率开关配合超低静态电流 LDO、PoC 诊断天线 LDO、激光远端跟踪供电与 GaN 驱动,覆盖每一条电源轨;在信号环节,电平转换、模拟开关、逻辑门与小信号分立器件打通各电压域与安全逻辑;在通信环节,超低电容 ESD 守护 GMSL 与车载以太网高速链路,CAN FD/LIN 全总线保护。相关产品通过 AEC-Q101、AEC-Q100 车规认证,依托合作伙伴 12 英寸成熟晶圆与国产供应链,实现稳定交付。

绿色低碳:低损耗与低功耗双轮驱动

在 " 双碳 " 目标引领下,整车能效要求日趋严格。安世中国 ADAS 方案在低导通损耗、低静态电流、高转换效率方面持续优化:以高侧 MOSFET 替代肖特基,可将导通压降从 0.5V 以上降至毫伏级,同样 10A 电流下发热由约 5W 降至 0.5W 以内;超低 Iq LDO 显著降低休眠暗电流。器件协同有助于减少供电损耗与整车能耗,助力新能源汽车绿色低碳发展。

产业价值:为智能驾驶供应链安全提供坚实支撑

当前全球半导体供应链波动加剧,汽车芯片国产化需求迫切。安世中国通过 " 本土研发+深度国产供应链 ",在电源防护、供电转换、信号逻辑与接口保护等关键环节实现稳定交付。其 12 英寸成熟晶圆平台现已实现部分量产、侧面可焊支持自动光学检测,保障良率与一致性。安世中国本地团队还可提供从选型、样片、调试到量产导入的全流程支持,贴近国内车企与零部件厂商。

安世中国的芯片未必是 ADAS 中最吸睛的那一颗,却是保障辅助驾驶安全可靠的底层基石。面向 L2 向 L3 演进、多传感器融合与功能安全要求提升,安世中国将继续以 " 安全芯 " 定位,守护智能网联汽车安全底线,为我国新能源汽车产业高质量发展和汽车芯片产业链供应链自主可控贡献核心价值。

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