财联社 7 月 10 日讯（编辑 黄君芝）全球存储芯片市场刚刚经历了有史以来最好的一个月，而且遥遥领先。根据瑞银集团（UBS）7 月份发布的《存储芯片月度报告》，月销售额达到了创纪录的 746 亿美元，环比增长 31.7%。

瑞银表示，随着人工智能（AI）需求持续增长以及长期供应协议（LTA）谈判仍在进行，存储芯片市场周期正在 " 进一步趋强 "，结构性供应不足的局面至少会持续到 2028 年中期。

具体而言，看看整体繁荣背后的细分市场：

DRAM（动态随机存取存储器）销售额占内存市场的大部分份额，约为 480 亿美元，比上月增长 27.7%。

NAND 闪存的表现更为亮眼，环比飙升 40.7%，创下 258 亿美元的纪录。

NAND 闪存是固态硬盘和数据中心存储设备的主要存储介质，随着人工智能训练和推理工作负载的激增，这两类产品的需求也呈爆炸式增长。

整体而言，瑞银预计，2026 年全年存储芯片行业总收入将达到 9920 亿美元。到 2027 年，这一数字预计将几乎翻一番，达到 1.76 万亿美元。

该行指出，推动这一增长的主要动力是高带宽内存（HBM），这是一种专用于人工智能加速器（例如英伟达的 GPU）的 DRAM。瑞银预测，2026 年 HBM 的需求将同比增长 90%，达到约 331 亿 Gb。预计 2027 年，需求将再增长 77%，达到约 587 亿 Gb。

瑞银还指出，内存价格上涨周期的主要受益者是美光科技，以及韩国巨头三星电子和 SK 海力士，因为这三家公司合计占据了全球 DRAM 和 NAND 闪存供应的绝大部分。

价格涨不停

瑞银认为，云计算公司将继续投资人工智能基础设施，从而有助于支撑对内存芯片的需求，结构性供应不足的局面至少会持续到 2028 年中期。

瑞银已将 DDR 合约价格预测上调至 2026 年第三季度环比上涨 32%，第四季度再上涨 18%。NAND 闪存价格预计也将呈现类似走势，预计第三季度上涨 30%，第四季度上涨 12%。

瑞银预测，至少在 2028 年第二季度之前，DRAM 行业仍将面临结构性供应不足的局面，这主要得益于其预测 2027 年需求同比增长 36.2%，将远超 19.3% 的供应同比增长。

最后，瑞银也坦率地指出了哪些因素可能会动摇其看涨观点。

" 客户的承受能力以及人工智能相关资本支出的可持续性仍然是这一前所未有的上行周期面临的主要风险，"该行指出，这表明超大规模数据中心运营商的后续支出，而非供应量，才是其无法从内存角度完全建模的关键变量。