快科技 7 月 7 日消息，据报道，为应对台积电与三星即将推出的 1.4 纳米级芯片技术，英特尔计划在标准的 14A 工艺基础上，推出一项名为 14A2（即 14A Gen2）的改良版制程。

针对 14A2 工艺，英特尔考虑在原定背部供电的基础上，同时保留部分前部供电，形成前后双侧供电方案，以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的技术挑战。

此外，英特尔计划在 14A 工艺中采用名为 PowerDirect 的背部供电技术，将供电网络转移至晶圆背面。在作为半节点升级版本的 14A2 工艺上，英特尔计划进一步缩小最低金属互连层 M0 间距。

目标是从 14A 的约 28 纳米压缩至约 21 纳米，以提升晶体管密度并提高 High-NA EUV 光刻设备的经济性。

按照路线图，英特尔计划于 2026 年 10 月向外部客户提供 14A 工艺 0.9 版本工艺设计套件，随后争取在 18 个月内获得大型无晶圆厂芯片设计企业的订单。2028 年启动风险试产、2029 年实现量产。

与此同时，台积电 A14 晶圆厂预计 2027 年底试产、2028 年下半年量产。三星则计划 2029 年量产 1.4 纳米工艺。三巨头将在 1.4 纳米节点正面交锋。