今天，多家科技媒体报道，微星已经率先在 AMD 平台上完成了对长鑫存储颗粒的调校，突破了长鑫颗粒此前 DDR5 的频率上限，从 6800MT/s ‌提升到 8000~8200MT/s，成为了首家在 AMD 平台突破这个上限的主板厂商。

为什么长鑫存储颗粒会有这个问题？因为长鑫的存储颗粒相比于三星、SK 海力士、美光这 3 个老铁来说太新了，AMD 主板内的固件没有对应的配置文件，导致频率超过 6800 就会死机。

微星通过最新的 AGESA 微代码进行专项调校优化，让双内存槽主板搭配采用长鑫 16Gbit 颗粒的内存，在 8000MT/s 的频率可以稳定运行。而搭配 24Gbit 颗粒的内存，还可以进一步上冲到 8200MT/s，这就打破了之前的性能限制，让玩家们可以更放心地用起国产内存。

目前首批适配机型的玩家版 BIOS 已开放下载，后续会由微星工程师直接负责玩家社区的发布与迭代。

另外，关于长鑫的好消息还有一则。《韩国经济日报》报道称，长鑫正在秘密建设一条键合 DRAM 的研发生产线，这是在没有 EUV 的情况下，仅靠 DUV 和多重曝光就能生产超高密度 DRAM 的方法。

传统 DRAM 的做法是把存储阵列和电路做在同一片晶圆上，而键合 DRAM 则是一片晶圆做超高密度的存储阵列，另一片做逻辑电路，最后再把两片晶圆键合（即贴合）在一起，这样能在不增加芯片面积的情况下，减少了连线距离、提升传输速度，并且降低了功耗。韩媒表示，长鑫在这个技术下的进度可能已经快过韩国了。

韩媒表示，在中国奋起直追下，现在中韩在存储领域的差距已经从 5 年缩小到 3 年，如果不是 EUV 被卡脖子，差距可能会更小。现在长鑫也在冲刺 HBM 技术及其下一代架构，要是被弯道超车，对韩国会有不小的冲击。