快科技 5 月 25 日消息，据当地媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合 ( CMB ) 技术连接两片 450 层 3D NAND，构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

该技术核心是两片 450 层晶圆垂直整合，突破传统单次堆叠极限。

三星自研 " 上部卡盘 " 技术解决高层堆叠晶圆翘曲难题，新型套刻校正技术将键合对准误差控制在纳米级，保障良率。

同时优化位线（BL）与字线（WL）结构，在提升密度的同时降低芯片功耗与尺寸。

作为 AI 服务器、数据中心 SSD 及高端手机存储核心，3D NAND 层数直接决定存储密度。

当前量产市场 SK 海力士以 321 层 4D NAND 领先，三星计划年内量产 400 层以上第十代 V-NAND，此次 900 层原型将技术差距进一步拉大。