财联社 5 月 13 日讯（记者 王碧微）" 近期产品价格上调了 10%，所有类型产品类型都有涨价。" 某国际功率半导体公司人士向财联社记者表示道。

这并非个例，2026 年开年以来，功率半导体行业迎来一轮密集涨价潮。

英飞凌、德州仪器等海外厂商率先发布涨价函，国内厂商随后跟涨。其中，宏微科技 ( 688711.SH ) 方面表示，已对部分 IGBT 提价约 10%；捷捷微电（300623.SZ）MOSFET 产品此前已上调 10%-20%，IGBT 产品自本月起上调 10%-20%；新洁能 ( 605111.SH ) MOSFET 产品自 3 月 1 日起上调 10% 起。

这轮涨价的核心推手是 AI 数据中心。

英飞凌在涨价函中明确表示，AI 专用数据中心的部署导致多款功率开关及集成电路出现供应短缺。

在需求爆发的同时，全球 8 英寸成熟制程产能持续收缩，上游原材料和代工封测成本全线上涨，功率半导体正面临供需两端的挤压。

AI 挤占 8 英寸产能 涨价潮短期难退

MOSFET 是本轮涨价中最先告急的品类。

新洁能在涨价函中指出，上游原材料及关键贵金属价格大幅攀升，导致晶圆代工及封测成本持续上涨，公司 MOSFET 产品自 2026 年 3 月 1 日起价格上调 10% 起；捷捷微电 MOSFET 成品自 2 月 1 日起上调 10% 至 20%，公司在投资者关系活动中表示，目前南通高端功率半导体器件产业化项目已实现约 13 万片 / 月产出，旨在缓解 MOSFET 产能紧张；芯联集成（688469.SH）也在今年一季度完成了对 MOSFET 产品的价格调整。

MOSFET 率先提价，原因在于其对 8 英寸晶圆产能的消耗更大。

单台 AI 服务器对高压 MOSFET、电源管理 MOSFET 的需求更高，AI 服务器对高压 MOSFET 需求大幅增长，加剧了 8 英寸产能的紧缺。

IGBT 的涨价节奏略慢于 MOSFET，但近期已经确立趋势。

Trendforce 集邦咨询分析师王昊骏告诉财联社记者，部分海外龙头厂商及部分国产厂商已发出涨价通知，车规级硅基 IGBT 芯片涨幅约在 10% 至 20% 之间。

宏微科技证券部人士近日向以投资者身份致电的财联社记者表示：" 我们低端产品普遍涨价 10% 左右，主要是 IGBT 部分。上游成本上涨，下游需求也渐渐回暖。"

某功率半导体大厂人士也向财联社记者确认，包括 IGBT 在内的所有产品均有大约 10% 的价格上升，原因是 " 市场在恢复、成本在上升。"

芯联集成管理层近期在公司业绩交流会上表示，IGBT 产品近期需求增长明显，" 判断未来 IGBT 产品供需均衡将打破，将出现需求大于市场供给的情况 "。

不过，王昊骏也指出，并非所有厂商都选择了跟涨。仍有许多国产厂商为了借涨价潮抢占市场或维持订单量，选择自行吸收成本，芯片或模块仍维持原价。

某国内厂商在被问及是否跟涨时向财联社记者表示目前仍 " 关注中 "。

MOSFET 和 IGBT 同时涨价的背后，是 AI 数据中心、新能源车和上游成本三重因素的叠加。

需求端，AI 数据中心是最大的增量来源。德州仪器 2026 年第一季度财报显示，其数据中心业务营收同比增长约 90%。

英飞凌科技 CEO Jochen Hanebeck 在 2026 财年第一季度财报会上表示，AI 数据中心的电源解决方案仍是公司重点，英飞凌预计 2027 财年 AI 数据中心相关营收将达约 25 亿欧元，2025 财年该项营收已增长近三倍、超过 7 亿欧元。

王昊骏进一步指出，厂商选择优先向 AIDC 产业链客户供货，由于 AIDC 产品目前对标类车规标准，两者产品规格及特性有一定通用度，厂商为抢占 AIDC 市占率，进一步挤压了车规级芯片的供应。

新能源车的需求也在同步拉动。华润微在近期机构调研中表示，新能源领域光伏、储能、充电桩等需求持续释放，部分料号已出现满载溢出；汽车电子方面，去年导入的新客户与新项目正进入放量阶段。

供给端的收缩在放大这种紧张。

根据 TrendForce 集邦咨询数据，台积电、三星持续削减 8 英寸成熟制程产能，全球 8 英寸产能至 2027 年上半年将维持负增长，集邦咨询预估，2026 年全球 8 英寸晶圆代工厂平均产能利用率将从 2025 年的 75% 至 80% 攀升至 85% 至 90%，部分晶圆厂已通知客户调涨代工价 5% 至 20%，且为不分客户、不分制程平台的全面性调价。封测端同样紧张，部分封测大厂产能利用率直逼满载，近期启动涨价，涨幅近 30%。

王昊骏表示，从成本端看，只要原材料价格维持高位、封装成本居高不下，相关功率半导体产品价格下探空间有限。从产能端看，多数新产能预计在 2026 年底或 2027 年后才会释放，供需紧张预计将持续 6 至 12 个月。

多家企业的产能和订单数据也在印证这一判断。

华润微 ( 688396.SH ) 近期在调研中表示，6 英寸、8 英寸及重庆 12 英寸产线自去年四季度以来持续满载，在手订单能见度已至今年下半年。

扬杰科技（300373.SZ）预计 2026 年一季度归母净利润同比增长 20% 至 40%，公司在业绩预告中指出，当前正处于上行周期的初期阶段。

英伟达 800V 架构来了 碳化硅、氮化镓加速扩产

在传统功率半导体供需紧张的同时，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料正在迎来一个全新的需求入口—— AI 数据中心。

英伟达在 2025 年技术大会上将 800V 高压直流（HVDC）架构确立为下一代 AI 工厂的核心供电方案。这套架构已获得广泛支持，包括英飞凌、安森美、意法半导体、德州仪器、英诺赛科（02577.HK）在内的主流半导体厂商均已宣布支持 800V 供电方案。

在这其中，功率半导体是电力电子系统中实现电能转换、控制与传输的核心器件。传统的 54V 机架配电系统专为千瓦级机架设计，当机架功率超过 200 千瓦后，空间受限、铜缆过载、散热困难等问题接踵而至。

在此情况下，市场研究机构行家说三代半半导体研究总监张文灵告诉财联社记者，AIDC 将成为第三代半导体的下一个爆发式增长市场，需求强劲且明确。

碳化硅和氮化镓在 800V 架构中各有分工。张文灵介绍，在配电端，传统工频变压器将逐步被固态变压器（SST）、中压直供 800V 电源系统等新型方案取代，这些方案通常采用碳化硅，单台固态变压器的碳化硅器件用量可达数百颗。

在机柜内部，板载电源需要氮化镓来提升效率和功率密度，兆瓦级 DC-DC 模块的氮化镓器件用量可超 1000 颗。

张文灵还指出，AIDC 对效率和功率密度要求高，且对成本不敏感，为碳化硅和氮化镓开辟了高附加值的空间，可以缓解企业在新能源汽车和消费电子领域的价格和利润压力。

但从渗透进度看，第三代半导体在 AIDC 中的应用仍处于早期。

王昊骏指出，碳化硅导入 AIDC 电源类零部件目前处于起步阶段，市场仍以车用领域为主。碳化硅与 800V 电压架构发展明显绑定，但 800V 架构最大的门槛在于电网升级，因此碳化硅整体渗透率的成长速度相对较慢。

王昊骏同时表示，目前，随着 AIDC 需求加入，碳化硅相关器件也面临成本上涨，但涨幅相较硅基 IGBT 较为缓和。

需求方向明确，国产厂商亦已经具备接住这波需求的实力。

根据 Omdia 发布的 2025 年功率半导体报告，前四名厂商英飞凌、安森美、意法半导体和三菱电机依然稳固，中国厂商士兰微（600460.SH）在 2025 年首次进入全球前五行列。

第三代半导体或将成为国内功率半导体企业扩大声量的重要机遇。

张文灵确认，国产碳化硅和氮化镓厂商已具备在 AI 领域应用的实力。碳化硅方面，通用算力服务器电源已广泛导入国产碳化硅二极管，部分领先厂商的 SiC MOSFET 已与数据中心电源、固态变压器等领域达成实质性合作。

氮化镓方面，国内头部厂商技术水平已与国际厂商并驾齐驱，产品已成功进入英伟达、浪潮等头部客户供应链。

从企业层面看，天岳先进（688234.SH）2025 年碳化硅衬底全球市占率跃居首位，打破了 Wolfspeed 多年的垄断，8 英寸产品全球市占率突破 50%。

英诺赛科是英伟达 800V 系统供应商名单中唯一的中国本土企业，近期已成功供货谷歌，其 8 英寸氮化镓晶圆产线月产能已从 1.3 万片提升至 2 万片。

比亚迪半导体则推出了全球首款可批量装车的 1500V 高耐压大功率碳化硅芯片。

面对 AI 和新能源车的双重拉动，国内外企业均在密集扩产。

海外方面，英飞凌斥资 50 亿欧元在德累斯顿建设的智能功率半导体工厂将于 2026 年夏启用；意法半导体在意大利卡塔尼亚新建 8 英寸碳化硅工厂，总投资 50 亿欧元，预计 2026 年投产；安森美斥资 20 亿美元在捷克建设碳化硅工厂。

国内企业的扩产节奏同样紧凑。

时代电气（688187.SH）三期株洲碳化硅产线已于 2025 年 12 月底拉通，正式投入生产；芯联集成日前表示，公司正积极推进 12 英寸碳化硅产线扩产；扬杰科技在越南投资建设首座车规级 6 英寸晶圆工厂，设计年产能 240 万片，预计 2027 年一季度量产；株洲中车 8 英寸碳化硅晶圆线于去年底通线，总投资 53 亿元，年增 36 万片产能；斯达半导（603290.SH）15 亿元可转债已获批用于加码车规级 SiC 和 GaN 模块产能建设。

（财联社记者 王碧微）